YA868C06 时间：2025/12/29 17:00:25 阅读：9

YA868C06是一款专为电力电子应用设计的功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和高电流承载能力，适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及各类工业控制设备。YA868C06的封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.8mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220 / TO-263

特性

YA868C06具有出色的电气性能和热稳定性，其低导通电阻可显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进Trench工艺，优化了开关特性和导通损耗，适用于高频开关应用。
　　其高电流承载能力和良好的热阻特性使其在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　此外，YA868C06具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，增强了器件的可靠性和耐用性。
　　器件的封装设计考虑了良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用，如电源适配器、电动工具、电动车控制器等。

应用

YA868C06广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：高效率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、光伏逆变器、电动车辆电控系统、LED照明驱动电源、工业自动化控制设备以及各种高电流开关电路中。
　　由于其优异的导通特性和高可靠性，YA868C06特别适合用于要求高效率、高稳定性和高集成度的电源管理方案。