Y34NB50 时间：2025/7/23 21:10:38 阅读：5

Y34NB50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高功率应用场景。这款MOSFET设计用于高效能开关操作，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器以及工业自动化设备等应用。其封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），以提供良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A（在25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.14Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）
　　引脚数：3（漏极、源极、栅极）

特性

Y34NB50 MOSFET具备多项显著特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其高漏源击穿电压（500V）允许在高压系统中使用，适用于高可靠性要求的应用场景。其次，导通电阻较低（0.14Ω），这意味着在导通状态下功耗较低，有助于提高系统效率并减少散热需求。此外，该器件支持大电流负载，最大漏极电流可达50A，适合用于高功率开关应用。
　　Y34NB50采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和耐久性。其封装设计（如TO-220或TO-263）不仅提供良好的散热性能，还能在恶劣环境下保持稳定运行。栅极驱动电压范围较宽（±20V），使得其可以与多种控制电路兼容，如PWM控制器或微处理器。
　　该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频应用，如DC-DC转换器和逆变器。此外，Y34NB50具备较低的开关损耗和导通损耗，有助于提高整体能效并减少发热。其在高温环境下的性能表现稳定，能够在150°C的结温下可靠工作，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的场合。

应用

Y34NB50广泛应用于多个领域，包括电源管理、电机驱动、LED照明、电池充电器、DC-DC转换器以及工业自动化控制系统。在电源系统中，它常用于开关电源（SMPS）的主开关或同步整流器，以提高效率并减少热量产生。在电机控制应用中，该MOSFET可作为H桥电路的一部分，实现高效能的直流电机或步进电机驱动。
　　此外，Y34NB50也可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，提供稳定的高压、大电流控制能力。在电动车或电动工具中，该器件可用于电池管理系统（BMS）或电机控制器，确保高效的能量传输和良好的热管理性能。由于其优异的导通特性和高频响应能力，该MOSFET在高频开关电路和LED驱动电路中也有广泛应用。