Y2202 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电路、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适合中高功率应用。Y2202采用TO-220或类似的封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):200V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):连续10A
导通电阻(RDS(on)):约0.45Ω @ VGS = 10V
功率耗散(PD):125W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
Y2202的主要特性包括其高耐压能力(200V),适用于多种电源转换和控制应用。该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),在导通状态下能有效降低功率损耗,提高系统效率。其高电流承载能力(10A连续工作电流)使其适用于中高功率负载控制。此外,Y2202具备良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下保持稳定性能,适合在工业级环境中使用。
这款MOSFET还具有快速开关特性,适用于高频开关电源和DC-DC转换器设计。其封装形式(如TO-220)便于安装在散热器上,提升散热效率,延长器件寿命。Y2202的栅极驱动电压范围较宽,通常在10V左右即可完全导通,兼容常见的MOSFET驱动电路。
Y2202常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、LED驱动、电池管理系统和工业控制设备中。其高耐压和较大电流能力使其非常适合用于需要较高功率控制的场合。例如,在电源适配器或充电器中,Y2202可以作为主开关器件使用;在电机驱动电路中,可用于控制直流电机的启停和方向;在太阳能逆变器或UPS系统中,也可作为功率开关使用。此外,它也适用于各种负载开关应用,如继电器替代、加热元件控制等。
IRF540N, FQP10N20, STP10NK50Z