频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：12 W（典型值）
　　效率：超过60%（典型值）
　　增益：20 dB（典型值）
　　工作电压：28 V
　　封装类型：陶瓷双列直插封装（DIP）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

XRT75R12IBCHA 采用 GaN 技术，具备卓越的射频性能。GaN 材料的高电子迁移率和高击穿电压使得该器件在高频率下仍能保持出色的功率密度和效率表现。这款晶体管设计用于宽带和窄带应用，支持多种调制格式，包括 QAM、OFDM 和 CDMA，非常适合用于基站、无线基础设施和测试设备中的功率放大器模块。
　　该器件的封装设计考虑了良好的热管理和机械稳定性，能够在恶劣环境下可靠运行。此外，XRT75R12IBCHA 提供了优异的线性度，降低了对复杂线性化电路的需求，从而简化了系统设计并降低了整体成本。其宽频率覆盖范围和高稳定性也使得它能够适应多种通信标准和协议，如 LTE、5G、WiMAX 和其他无线通信技术。
　　在可靠性方面，XRT75R12IBCHA 经过严格的测试和验证，确保在长时间高功率工作条件下仍能保持稳定性能。它还具有良好的抗失真能力和高输入/输出阻抗匹配能力，减少了对外部匹配电路的依赖，提高了设计的灵活性。

XRT75R12IBCHA 主要用于无线通信基础设施，如宏基站、微基站和射频拉远单元（RRU）。它也适用于测试和测量设备、广播发射机、工业控制系统以及军事和航空航天领域的射频功率放大应用。此外，该器件可用于支持 5G NR、LTE-A、Wi-Fi 6E 和其他高性能无线通信标准的设备中。

XRT75L12IBCHA, XRT75R12IBCH, XRT75R12ICBHA