时间：2025/5/29 3:41:52
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XR18W753IL48-F是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频工作条件下保持出色的性能表现。
这款器件支持大电流输出，并且内置了多种保护机制，包括过流保护、短路保护以及过温保护等，确保在复杂的工作环境下依然稳定可靠。
型号：XR18W753IL48-F
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
功耗(PD)：150W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
XR18W753IL48-F采用了先进的硅基制造技术，其主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 支持高达50A的持续漏极电流，适合高功率应用。
3. 内置多重保护功能，增强了产品的可靠性和安全性。
4. 高速开关性能，适合高频电路设计。
5. 工作温度范围宽，适应极端环境下的使用需求。
6. 封装形式为TO-247，便于散热和安装。
XR18W753IL48-F广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中作为功率开关。
2. 电机驱动电路中的主控开关元件。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. 电动工具及工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 各种需要高效功率管理的电子系统中。
XR18W753IL35-F, XR18W753IL65-F
