型号：XQR17V16-CC44V
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类别：SRAM
　　配置：1M x 16
　　存储容量：16 Mbit
　　电压范围：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：12 ns / 15 ns / 20 ns（可选）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：CQFP-44
　　引脚数：44
　　接口类型：并行
　　组织结构：1,048,576 字 × 16 位
　　最大读取电流：典型值 120 mA
　　待机电流：≤ 10 μA
　　抗辐射能力：
　　 - 总电离剂量（TID）：≥ 300 krad(Si)
　　 - 单粒子翻转（SEU）：无（在LET ≤ 85 MeV-cm2/mg下）
　　 - 单粒子闩锁（SEL）：免疫至LET = 110 MeV-cm2/mg
　　可靠性等级：QML-V 认证
　　安装方式：表面贴装

XQR17V16-CC44V的核心特性之一是其卓越的抗辐射性能，使其能够在高强度宇宙射线和粒子辐射环境下稳定运行。该器件经过全面的辐射硬化处理，能够承受高达300 krad(Si)的总电离剂量，远超商业级和工业级SRAM的耐受水平。更重要的是，在单粒子效应方面，该器件在LET（线性能量转移）值不超过85 MeV-cm2/mg时不会发生单粒子翻转（SEU），即数据位不会因高能粒子撞击而发生错误翻转；同时，在LET高达110 MeV-cm2/mg的情况下也不会触发单粒子闩锁（SEL），从而避免了可能导致系统崩溃的大电流锁定现象。这一特性对于地球轨道卫星、深空探测器及核反应堆监测系统至关重要，因为这些应用场景中电子设备会长期暴露于高能粒子环境中。
　　另一个显著特点是其高速访问能力和低功耗设计之间的平衡。XQR17V16-CC44V提供多种速度等级选项（如12ns、15ns、20ns），满足不同系统对性能的需求。即使在极端温度条件下（-55°C至+125°C），其读写时序依然保持稳定，确保系统在冷启动或高温运行时不会出现数据延迟或丢失。此外，该器件在待机模式下的电流消耗极低（≤10μA），有助于延长航天器或其他电池供电系统的使用寿命。其CMOS工艺还带来了良好的噪声抑制能力和较低的电磁干扰（EMI），提升了整体系统的信号完整性和稳定性。
　　在物理结构方面，XQR17V16-CC44V采用陶瓷CQFP-44封装，这种材料具有优异的热膨胀匹配性、气密性以及抗湿性，有效防止外部污染物侵入和内部腐蚀。陶瓷封装还能更好地应对多次温度循环带来的应力变化，提高器件在频繁升降温过程中的可靠性。所有材料和制造流程均符合NASA、ESA及其他航天机构的筛选标准，并通过了严格的寿命测试、老化测试和批次一致性验证。此外，该器件支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统设计复杂度，尤其适用于实时控制系统和飞行计算机等对响应时间敏感的应用场景。

XQR17V16-CC44V广泛应用于对可靠性和环境适应性要求极高的领域。在航空航天领域，它常被用作卫星星载计算机的数据缓存、姿态控制系统中的临时存储单元以及遥测数据采集系统的缓冲存储器。由于其抗辐射特性，该器件非常适合部署在低地球轨道（LEO）、地球同步轨道（GEO）甚至深空探测任务中，例如火星探测器、月球着陆器和太阳观测卫星等平台。在国防电子系统中，XQR17V16-CC44V可用于雷达信号处理模块、电子战系统、导弹制导计算机和军用通信设备，保障关键任务期间的数据完整性与系统连续性。
　　此外，该器件也适用于地面高可靠性工业应用，如核能发电站的监控系统、高海拔科研仪器（如大气探测气球和极地观测站设备）以及需要长期无人值守运行的关键基础设施控制系统。在这些环境中，常规商用器件可能因温度波动、电源不稳或背景辐射而失效，而XQR17V16-CC44V凭借其坚固的设计和经过验证的可靠性，成为理想选择。其并行接口架构也便于集成到传统的高性能嵌入式系统中，兼容多种微处理器和FPGA平台，进一步拓展了其适用范围。无论是作为程序存储缓冲区还是高速数据采集的中间存储单元，XQR17V16-CC44V都能提供稳定、快速且安全的数据存取服务。

XQR17V16-FG17I
　　XQR17V16-FG25I
　　XQR17V16-FG15I