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XQ18V04VQG44N 发布时间 时间:2025/6/18 9:43:43 查看 阅读:3

XQ18V04VQG44N 是一种高性能的 SRAM(静态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要快速数据访问和高可靠性的场景。该芯片具有低功耗、高速度和高稳定性的特点,适合在工业控制、通信设备及消费电子中使用。
  SRAM 不需要刷新操作即可保存数据,因此相比 DRAM 具有更好的速度表现。XQ18V04VQG44N 采用先进的半导体制造工艺,确保其在高温和复杂环境下依然保持稳定。

参数

存储容量:512K x 18 bits
  工作电压:1.7V 至 1.9V
  访问时间:4ns
  封装形式:TQFP-44
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保持时间:无限期(断电后数据丢失)
  接口类型:同步

特性

XQ18V04VQG44N 提供了卓越的性能表现,其主要特性如下:
  1. 高速运行能力:支持高达 4ns 的访问时间,确保实时应用中的高效数据处理。
  2. 低功耗设计:工作电压范围为 1.7V 至 1.9V,有效降低整体系统能耗。
  3. 可靠性高:经过严格的测试流程,确保芯片在各种环境下的稳定性。
  4. 小型化封装:采用 TQFP-44 封装,节省 PCB 空间,非常适合对空间有要求的应用。
  5. 广泛的工作温度范围:支持从 -40°C 到 +85°C 的工作温度,适应多种应用场景。

应用

XQ18V04VQG44N 主要应用于以下领域:
  1. 工业自动化设备:用于控制系统中的临时数据存储,满足实时性和可靠性需求。
  2. 通信设备:如路由器、交换机等,提供高速缓存功能以提高数据传输效率。
  3. 消费类电子产品:包括高端图形显示设备、数码相机等,用于图像处理和数据缓冲。
  4. 医疗设备:如超声波设备、监护仪等,需要高精度和低延迟的数据处理。
  5. 军事与航天领域:由于其高可靠性,被广泛应用于特殊环境下的数据存储任务。

替代型号

XQ18V04VQG44M, XQ18V04VQG44P

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