时间：2025/6/19 14:02:31
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XPT7N65是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压、大电流的开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低能耗。
这种MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等领域，能够在高温环境下保持稳定性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：38nC
输入电容：1250pF
总电容：98pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
XPT7N65具备以下特点：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，有效降低开关损耗。
4. 较高的雪崩能量承受能力，提升了可靠性。
5. 小封装尺寸，便于PCB布局和散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅。
这款功率MOSFET适用于多种工业及消费电子领域，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. UPS不间断电源和逆变器系统。
6. LED照明驱动电源和其他高压电子设备。
IRFP460, STP7NK60Z, FDP7N65
