时间：2025/7/7 18:44:57
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XPN60D07CSM是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，非常适合于高频开关应用。它通常用于电源管理电路、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。封装形式为DFN5*6，这种封装有助于提高散热性能并减少寄生电感的影响。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装尺寸，XPN60D07CSM成为需要高效率和小尺寸解决方案的设计的理想选择。
最大漏源电压：70V
连续漏极电流：6.1A
导通电阻（典型值）：40mΩ
栅极电荷：12nC
输入电容：380pF
反向传输电容：120pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN5*6
XPN60D07CSM具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提升了整体效率。
2. 快速的开关速度降低了开关损耗，适合高频应用环境。
3. 小巧的DFN5*6封装使其能够适应空间受限的设计需求。
4. 高度可靠的电气性能和耐热性使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。
5. 具有优异的雪崩能力和抗浪涌能力，提高了系统的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，满足环保要求。
XPN60D07CSM广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 各类电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制。
4. 负载开关和保护电路，用于电池管理系统（BMS）。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品的电源管理和充电电路。
XPN60D07PSE, XPN60D07TSL
