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XPD2060C 发布时间 时间:2025/5/30 16:47:02 查看 阅读:11

XPD2060C是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN33-8L封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理应用,包括DC-DC转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备中的开关功能。
  这款MOSFET以其出色的热性能和电气特性著称,能够在高电流条件下提供高效的开关操作,同时保持较低的功耗。其设计旨在优化空间受限的应用场合,同时确保高性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.7A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,@Vgs=4.5V)
  栅极电荷:1.9nC
  输入电容:133pF
  总功耗:1.1W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

XPD2060C具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少传导损耗。
  2. 高速开关性能,支持高频操作,有助于提升系统效率。
  3. 超小型PDFN33-8L封装,节省PCB空间。
  4. 较宽的工作电压范围,适应多种电源应用需求。
  5. 出色的热稳定性和可靠性,适合长时间运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

XPD2060C广泛应用于以下领域:
  1. 移动设备中的负载开关。
  2. 各类便携式电子产品的电源管理。
  3. DC-DC转换器中的同步整流开关。
  4. 消费类电子产品中的电池保护电路。
  5. 通信设备中的高效电源切换。
  6. 工业控制中的小型化功率转换模块。

替代型号

XPD2060C的替代型号包括:XPD2060、IRF7843、AO3400