XPD2060C是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN33-8L封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理应用,包括DC-DC转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备中的开关功能。
这款MOSFET以其出色的热性能和电气特性著称,能够在高电流条件下提供高效的开关操作,同时保持较低的功耗。其设计旨在优化空间受限的应用场合,同时确保高性能和可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:4.7A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,@Vgs=4.5V)
栅极电荷:1.9nC
输入电容:133pF
总功耗:1.1W
工作结温范围:-55℃至+150℃
XPD2060C具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少传导损耗。
2. 高速开关性能,支持高频操作,有助于提升系统效率。
3. 超小型PDFN33-8L封装,节省PCB空间。
4. 较宽的工作电压范围,适应多种电源应用需求。
5. 出色的热稳定性和可靠性,适合长时间运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
XPD2060C广泛应用于以下领域:
1. 移动设备中的负载开关。
2. 各类便携式电子产品的电源管理。
3. DC-DC转换器中的同步整流开关。
4. 消费类电子产品中的电池保护电路。
5. 通信设备中的高效电源切换。
6. 工业控制中的小型化功率转换模块。
XPD2060C的替代型号包括:XPD2060、IRF7843、AO3400