时间：2025/5/30 16:47:02
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XPD2060C是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN33-8L封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备中的开关功能。
这款MOSFET以其出色的热性能和电气特性著称，能够在高电流条件下提供高效的开关操作，同时保持较低的功耗。其设计旨在优化空间受限的应用场合，同时确保高性能和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
栅极电荷：1.9nC
输入电容：133pF
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃至+150℃
XPD2060C具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗。
2. 高速开关性能，支持高频操作，有助于提升系统效率。
3. 超小型PDFN33-8L封装，节省PCB空间。
4. 较宽的工作电压范围，适应多种电源应用需求。
5. 出色的热稳定性和可靠性，适合长时间运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
XPD2060C广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. 各类便携式电子产品的电源管理。
3. DC-DC转换器中的同步整流开关。
4. 消费类电子产品中的电池保护电路。
5. 通信设备中的高效电源切换。
6. 工业控制中的小型化功率转换模块。
XPD2060C的替代型号包括：XPD2060、IRF7843、AO3400
