时间：2025/6/22 15:22:31
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XPD150N50是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和出色的热性能等特性，能够满足高功率密度设计需求。
该型号的电压耐受能力为500V，具有较高的击穿电压，适用于多种高压应用场景。同时，其封装形式通常为TO-220或DPAK，便于散热设计和系统集成。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：0.3Ω
栅极电荷：45nC
总电容：200pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高电压耐受能力：XPD150N50的最大漏源电压达到500V，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：典型导通电阻为0.3Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性：较小的栅极电荷和寄生电容使得该器件具备快速开关能力，适合高频应用。
4. 良好的热性能：采用标准的TO-220或DPAK封装，能够有效管理热量，确保长期稳定运行。
5. 宽温度范围支持：工作温度范围从-55℃到+150℃，适应极端环境下的应用需求。
1. 开关电源（SMPS）：在AC-DC或DC-DC转换器中作为主开关管使用。
2. 电机驱动：用于控制直流电机或步进电机的速度与方向。
3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他电力电子变换设备中发挥关键作用。
4. 负载开关：实现负载的动态开启和关闭，保护电路免受过流或短路影响。
5. PFC电路：在功率因数校正模块中提供高效的功率处理能力。
IRFP460N
STP15NB50
FQA15N50C
