XPC862PZP100B 时间：2025/5/20 9:23:45 阅读：22

XPC862PZP100B是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺，在保证低导通电阻的同时，也具备优秀的开关性能和热稳定性。其封装形式为PZP，适合高密度贴装设计，广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备中。
　　该器件的最大特点是能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，并且具有出色的耐热特性和可靠性，可满足严苛的工作环境要求。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻：2.5mΩ
　　栅极电荷：80nC
　　开关速度：超高速
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃
　　封装形式：PZP

特性

XPC862PZP100B具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（2.5mΩ），能够显著降低功率损耗，提升系统效率。
　　2. 高速开关能力，适用于高频电路设计，有效减少电磁干扰和开关损耗。
　　3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　4. 小型化封装（PZP），有助于节省PCB空间并简化散热设计。
　　5. 高可靠性和长寿命，适应多种复杂应用场景，包括极端温度条件下的使用。
　　6. 内置保护功能（如过流保护和短路保护），进一步增强系统的安全性和耐用性。

应用

XPC862PZP100B适用于以下典型应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主功率级开关。
　　2. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
　　3. 工业逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　4. 高效DC-DC转换器设计。
　　5. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
　　6. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
　　7. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统（BMS）和电机控制器。