XPC860DT/DEZP50D4是一种高性能功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率切换的场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
该型号由知名半导体厂商生产,其设计目标是为中高功率应用提供稳定可靠的解决方案。通过优化栅极电荷和输出电容参数,该芯片能够在高频工作条件下保持高效表现。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:42A
导通电阻:3.7mΩ
栅极电荷:105nC
开关速度:超快
封装形式:TO-247
XPC860DT/DEZP50D4具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在额定条件下仅为3.7mΩ,有助于减少传导损耗。
2. 快速开关性能,适合高频应用环境,可有效降低开关损耗。
3. 高电流承载能力,连续漏极电流高达42A,适用于大功率负载。
4. 良好的热稳定性,芯片内部集成温度保护功能,确保长时间运行的安全性。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
6. 可靠性高,经过严格测试以满足工业级使用需求。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. DC-DC转换器中的同步整流电路。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品中的功率管理部分。
6. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统(BMS)和牵引逆变器等组件。
XPC860DP, IRF860, STW860