时间：2025/5/13 11:49:51
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XPC850SRZT50BU 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点，适用于需要高效能和可靠性的应用场景。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够有效降低功耗并提升系统的整体效率。其封装形式通常为 TO-220 或 D2PAK，便于散热设计，并且支持表面贴装和通孔安装方式。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少传导损耗，从而提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，降低开关损耗。
3. 出色的热性能，确保在高负载条件下也能保持稳定运行。
4. 内置 ESD 保护功能，增强器件的可靠性。
5. 支持大电流操作，适合工业级和汽车级应用环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关管。
2. 电动工具、家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换模块。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理。
5. 汽车电子中的负载开关和电池管理系统。
6. 各类高效能功率变换电路中的关键组件。
XPC850SRZT50BQ, IRF840, FDP55N06L
