XPC105ARX66CD 是一款由 IXYS 公司生产的功率晶体管(MOSFET),主要用于高功率和高频应用。这款MOSFET采用了先进的制造工艺,具备高效率、低导通电阻以及快速开关特性,适用于电源转换、电机驱动、逆变器和其他高功率电子系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):105A
最大漏源电压(VDS):650V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.042Ω(最大)
功率耗散(PD):300W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
XPC105ARX66CD MOSFET具备多项优异特性,确保其在严苛环境下的稳定运行。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,从而提高系统效率。此外,该器件采用先进的沟槽栅极技术,增强了开关速度,减少了开关损耗。
该MOSFET具有高耐压特性(650V漏源击穿电压),适用于高电压应用,同时具备良好的热稳定性,能够在高温环境下长期工作而不影响性能。封装设计采用TO-263(D2PAK)表面贴装封装,提供优良的散热性能,适合高功率密度设计。
此外,该器件具有较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过电压情况下保持稳定,避免器件损坏。这使得XPC105ARX66CD适用于高可靠性要求的工业和汽车电子应用。
XPC105ARX66CD MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统,包括但不限于:电力电子变换器(如DC-DC转换器、AC-DC电源模块)、电机控制与驱动系统、工业自动化设备、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电设备以及电焊机等。由于其高效率和良好的热性能,该器件特别适合需要长时间高负载运行的应用场景。
IXFH105N65X2, IXFN105N65X2