XNIRP-04V-B-R 时间：2025/12/27 16:31:08 阅读：12

XNIRP-04V-B-R是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的光继电器，属于其先进的固态继电器产品线。该器件利用MOSFET输出型光电耦合技术，能够在输入与输出之间提供高隔离电压的同时实现无触点的信号切换。XNIRP-04V-B-R特别设计用于替代传统电磁继电器，在需要高可靠性、长寿命和低功耗控制的应用中表现出色。该光继电器采用小型化表面贴装封装，适合在空间受限的高密度PCB布局中使用。其内部结构包含一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管（LED），作为输入端光源，驱动一个集成的光电探测器电路，进而控制两个背对背连接的N沟道功率MOSFET，实现交流或直流负载的开关控制。这种设计不仅消除了机械磨损问题，还显著降低了开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　该器件广泛应用于工业自动化、测试测量设备、医疗仪器、通信系统以及楼宇控制系统等领域。由于其具备快速响应时间、低导通电阻和优异的耐压性能，XNIRP-04V-B-R能够胜任高频开关操作和精密信号路由任务。此外，它符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

类型：光继电器
　　输出类型：MOSFET（双N通道）
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：5 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（ID）：350 mA
　　导通电阻（RON）：典型值 0.28 Ω，最大值 0.4 Ω
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　响应时间（开）：典型值 0.2 ms
　　响应时间（关）：典型值 0.3 ms
　　工作温度范围：-30°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：SOP-4

特性

XNIRP-04V-B-R的核心优势在于其采用的先进光电MOSFET技术，实现了输入控制侧与输出负载侧之间的电气完全隔离，同时提供了类似机械继电器的功能，但没有机械部件带来的寿命限制和接触反弹问题。该器件的输入端仅需极低的驱动电流（典型5mA即可完全导通），可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的驱动电路或缓冲器，从而简化了系统设计并降低了整体成本。其输出端采用两个串联的N沟道MOSFET结构，使得该器件既能控制直流负载也能用于交流负载的开关应用，具备良好的双向导通能力。
　　该光继电器具有非常低的导通电阻（典型值仅为0.28Ω），这不仅减少了导通状态下的功率损耗，也避免了因发热导致的系统稳定性问题，特别适合用于电池供电或对能效要求较高的便携式设备。此外，高达5000Vrms的隔离电压确保了在高压环境中的安全运行，满足多种工业安全标准。XNIRP-04V-B-R的工作温度范围宽达-30°C至+100°C，适应严苛的工业现场环境。其快速的开关响应时间（开启约0.2ms，关闭约0.3ms）使其适用于中高频信号切换场景，远优于传统电磁继电器的毫秒级甚至更慢的响应速度。
　　器件的小型SOP-4封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。该产品无卤素、符合RoHS指令，体现了环保设计理念。由于没有可动部件，XNIRP-04V-B-R具有极高的抗冲击和抗振动性能，适合在运输设备、工业机器人等动态环境中稳定工作。同时，其无触点设计杜绝了电弧、火花和接触氧化等问题，提升了系统的长期可靠性和安全性。这些综合特性使XNIRP-04V-B-R成为现代电子系统中理想的固态开关解决方案。

应用

XNIRP-04V-B-R广泛应用于多个对可靠性与稳定性要求较高的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC模块、I/O接口板和传感器信号切换单元，实现对外部执行器的安全控制。在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统和多路复用器，该器件可用于精确地切换待测信号路径，确保测量精度不受继电器接触电阻变化的影响。医疗电子设备也大量采用此类光继电器，例如病人监护仪、诊断设备中的信号隔离模块，以保障患者安全并满足严格的电气隔离规范。
　　在通信基础设施中，XNIRP-04V-B-R可用于基站控制电路、光网络单元（ONU）中的电源管理模块，实现远程控制和故障隔离功能。此外，在楼宇自动化和智能家居系统中，它被用于灯光控制、HVAC系统调节以及安防设备联动控制，凭借其静音操作和长寿命特点，提升了用户体验。消费类高端音频设备也可能使用该器件进行输入源切换，避免传统继电器产生的爆裂声。由于其紧凑尺寸和表面贴装特性，XNIRP-04V-B-R同样适用于便携式仪器和嵌入式控制系统的设计，是现代电子工程中实现安全、高效、静音开关功能的理想选择。