时间：2025/7/28 14:12:57
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XH311HG-IV07E 是一款由 Xinghua Electronics（新华半导体）制造的高压、高功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优良的热性能。XH311HG-IV07E 采用 TO-263（D2PAK）封装，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等领域。其高可靠性和优异的性能使其成为工业级和汽车级应用的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：100V
最大漏极电流（ID）：110A（在TC=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：最大7mΩ（在VGS=10V时）
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
XH311HG-IV07E 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件的高耐压能力（100V）使其适用于多种高压应用场景，如DC-DC转换器和电机驱动系统。
该MOSFET采用先进的平面工艺和沟槽技术，优化了开关性能和导通性能，减少了开关损耗并提高了系统的整体效率。此外，XH311HG-IV07E 在高电流条件下仍能保持稳定工作，其最大漏极电流可达110A，适合高功率密度设计。
该器件采用 TO-263（D2PAK）封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高可靠性应用场景。其封装形式也支持表面贴装（SMT），提高了制造效率和产品一致性。
XH311HG-IV07E 还具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的电气性能，工作温度范围为 -55℃ 至 +175℃，满足工业级和部分汽车级应用需求。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。
XH311HG-IV07E 广泛应用于多种高功率和高压电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常用于同步整流和主开关电路，以提高转换效率和功率密度。该器件也适用于 DC-DC 转换器，特别是在高电流输出的应用中，如服务器电源、通信设备电源和嵌入式系统电源。
在电机控制方面，XH311HG-IV07E 可用于驱动直流无刷电机和步进电机，其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高电机控制效率并减少发热。此外，该器件也广泛用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电控制开关，适用于电动车、储能系统和工业自动化设备。
由于其高可靠性和良好的热性能，XH311HG-IV07E 也适用于一些汽车电子应用，如车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）和DC-AC逆变器等。在工业控制领域，该器件可用于PLC、伺服驱动器和UPS不间断电源等设备。
IXFH110N10P3（IXYS）、IRF1405（Infineon）、STP110N10F7（STMicroelectronics）、FDP110N10（onsemi）
