时间：2025/12/27 0:02:23
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XG4M-5030-T是一款由日本电气（NEC）或其后续公司瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的光耦继电器（PhotoMOS Relay）产品，属于MOS FET输出型固态继电器的一种。该器件通过输入侧的发光二极管（LED）激发光信号，驱动输出侧的MOSFET开关结构，实现控制电路与负载电路之间的电气隔离和无触点开关功能。XG4M-5030-T具有高可靠性、长寿命、低功耗驱动能力以及快速响应等优点，广泛应用于工业自动化、测试测量设备、通信系统以及需要高耐压和高稳定性的开关场合。该器件采用小型化表面贴装封装（通常为DIP-4或类似封装），适合在PCB空间受限的应用中使用。其设计目标是替代传统电磁继电器（EMR），避免机械磨损、电弧、接触抖动等问题，从而提升系统的整体稳定性与安全性。
类型：MOS FET输出光耦继电器
通道数：1通道
输入正向电流（IF）：15mA（典型）
输入反向电压（VR）：5V
输出负载电压（VDS）：500V（最大）
输出连续通态电流（ID）：30mA（最大）
接通电阻（RON）：小于20Ω（典型）
隔离电压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
工作温度范围：-30°C 至 +85°C
封装形式：DIP-4 表面贴装型
响应时间（开/关）：约0.5ms / 1ms
LED波长兼容性：近红外（约850nm）
绝缘材料：符合UL、VDE、CSA等安全标准
XG4M-5030-T的核心优势在于其基于PhotoMOS技术的无触点开关机制，利用光电效应实现输入与输出之间的完全电气隔离。输入端采用高效率的红外发光二极管，仅需低至15mA的驱动电流即可可靠触发，适用于微控制器、逻辑电路等低功率驱动源直接控制，无需额外的驱动晶体管或缓冲电路。输出端则采用一对背对背连接的MOSFET结构，使其能够切换交流或直流负载，并具备双向导通能力。这种结构显著降低了导通损耗，同时避免了传统继电器中常见的电弧和氧化问题，极大延长了使用寿命。此外，由于没有机械运动部件，XG4M-5030-T在开关过程中不会产生电磁干扰（EMI）或机械噪声，适用于高精度测量仪器和敏感电子环境。
该器件的输出MOSFET具有较低的导通电阻（典型值低于20Ω），有助于减少发热并提高能效，特别适合用于小信号或多路复用开关系统。其高达5000Vrms的隔离电压确保了在高压环境下的操作安全性，满足工业级绝缘要求。响应时间极快，开通时间约为0.5ms，关断时间约为1ms，远优于传统电磁继电器的毫秒级甚至更慢的响应速度，适用于需要高速切换的应用场景。XG4M-5030-T还具备良好的抗振动和抗冲击性能，适合在恶劣工业环境中长期运行。其表面贴装封装不仅节省空间，也便于自动化生产装配，提升了制造效率和产品一致性。
XG4M-5030-T广泛应用于多种需要高可靠性、电气隔离和静音操作的电子系统中。在自动测试设备（ATE）中，它常被用于信号路由和多路复用开关，因其低泄漏电流和稳定导通特性，可确保测试精度不受影响。在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块中的输入/输出隔离、传感器信号切换或小型执行器控制。通信设备中也常采用此类光耦继电器进行线路切换或保护电路的隔离控制。此外，在医疗电子设备、安防系统和智能仪表中，XG4M-5030-T凭借其高绝缘性和长寿命，成为替代传统继电器的理想选择。它还适用于电池管理系统（BMS）、电源监控电路以及需要远程控制的小功率负载开关场合。由于其支持交流和直流负载切换，因此在通用开关应用中具有很高的灵活性。
AQV252G,XG3M-5030,LAA110T
