型号：XFPM-100KPGV
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：-100 mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-400 mA
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 8.5 Ω @ VGS = -10 V, ID = -50 mA
　　阈值电压（Vth）：典型值 -2.5 V，范围 -1.8 V 至 -3.2 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 3.2 nC @ VDS = 80 V, ID = -50 mA
　　输入电容（Ciss）：典型值 120 pF @ VDS = 10 V, f = 1 MHz
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管设计，避免反向恢复问题
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围：-65 °C 至 +175 °C
　　封装形式：SOT-343 (SC-89)
　　热阻抗（RθJA）：约 350 K/W
　　热阻抗（RθJC）：约 120 K/W

XFPM-100KPGV的核心优势在于其高压耐受能力与高温稳定性，这得益于X-FAB先进的高压BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术。该器件可在高达100V的漏源电压下安全运行，同时支持±20V的栅极驱动电压，使其在存在电压瞬变或噪声干扰的环境中依然能够稳定工作。这种宽电压容限特别适用于车载电源系统或工业自动化设备中的稳压模块。
　　该PMOS晶体管的导通电阻低至8.5Ω，在同类高压P沟道器件中表现优异，有助于降低功率损耗，提升整体能效。其阈值电压设定合理，可在-2.5V左右实现有效开启，兼容多种逻辑电平控制信号。更重要的是，器件内部未集成寄生体二极管，消除了因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰问题，这对于高频开关应用尤为重要。
　　XFPM-100KPGV的工作结温可达+175°C，表明其具备卓越的热稳定性，非常适合部署于发动机舱附近或其他高温区域。器件还具备良好的抗闩锁能力，并通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和压力迁移测试（EM），确保长期使用的可靠性。其小型SOT-343封装不仅节省PCB空间，也便于自动化贴装生产，适用于高密度集成设计。
　　此外，该器件对静电放电（ESD）具有较强的防护能力，HBM模型下可承受超过2kV的放电电压。所有这些特性共同使XFPM-100KPGV成为严苛环境下首选的高压PMOS解决方案之一。

XFPM-100KPGV广泛应用于多个高可靠性领域。在汽车电子方面，它常用于电池管理系统（BMS）中的充电控制开关、车载DC-DC转换器的同步整流或高端驱动电路，以及车身控制模块中的负载开关。由于其符合汽车级标准，因此也适用于引擎控制单元（ECU）、车灯驱动和安全系统供电管理。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）输出模块、传感器供电开关和隔离式电源反馈控制电路。其高压特性使其适合作为高压总线上的开关元件，用于切断故障支路或实现冗余切换功能。
　　在医疗设备中，当需要隔离供电路径或构建高边恒流源时，XFPM-100KPGV也可作为关键组件使用。此外，在智能仪表、烟雾探测器、远程I/O模块等需要长期稳定运行的小功率高压控制系统中，该器件同样展现出优越性能。
　　由于其封装小巧且无需散热器即可在轻载条件下良好运行，因此也非常适合用于便携式仪器和嵌入式系统中，尤其是在空间受限但需高压操作的场景下。

XFP1P100AN
　　XBVP100P03
　　TSM100P03