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XCA201A06BCR 发布时间 时间:2025/12/24 22:50:13 查看 阅读:14

XCA201A06BCR 是一款由 IXYS 公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率、高频率开关应用设计。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,以提供更低的导通电阻(Rds(on))和更高的效率。XCA201A06BCR 适用于各种工业、汽车和消费类电子设备,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。该MOSFET封装为TO-263(也称为D2Pak),具有良好的散热性能,适合表面贴装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):180A
  漏源极电压(Vds):60V
  栅源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大4.3mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):250W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装:TO-263(D2Pak)

特性

XCA201A06BCR 采用先进的沟槽栅极技术,使其在低导通电阻和高开关速度之间取得良好的平衡。这种技术可以显著降低开关损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具有较高的热稳定性和耐用性,能够在极端工作条件下保持稳定的性能。其低Rds(on)特性不仅降低了导通损耗,还减少了发热,提高了系统的可靠性和寿命。
  该MOSFET的封装设计为TO-263(D2Pak),提供了良好的散热能力,确保在高电流负载下仍能保持较低的工作温度。这种封装形式也便于在PCB上进行表面贴装,简化了制造流程并提高了生产效率。
  此外,XCA201A06BCR 还具备优异的雪崩能量承受能力,能够有效防止因电压尖峰或瞬态过电压而导致的器件损坏。这使得它在电机控制、电源转换和电动汽车等高要求应用中表现出色。

应用

XCA201A06BCR 主要用于需要高功率密度和高效率的电源系统中。例如,在直流-直流转换器(DC/DC Converter)、同步整流器、电机驱动器和电池管理系统中,该MOSFET可以提供出色的性能。此外,它也广泛应用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电能管理系统,如车载充电器(OBC)和逆变器(Inverter)。在工业自动化和电机控制领域,该器件可用于高性能功率模块和电源管理单元。
  由于其高可靠性和优异的热管理能力,XCA201A06BCR 也非常适合用于高功率LED照明系统、不间断电源(UPS)以及工业电源设备。在消费类电子产品中,该MOSFET也可用于高性能电源适配器和电池管理系统。

替代型号

IXFH180N60P3
  IXFK180N60P3
  STP180N6F7
  IRFP4468PBF

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