 时间:2023/7/18 18:26:16
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                    | 产品型号 | XC6VSX315T-2FFG1156I | 
| 描述 | 集成电路FPGA 600 I / O 1156FCBGA | 
| 分类 | 集成电路(IC),嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列) | 
| 制造商 | Xilinx公司 | 
| 系列 | Virtex?-6SXT | 
| 打包 | 托盘 | 
| 电压-电源 | 0.95V?1.05V | 
| 工作温度 | -40°C?100°C(TJ) | 
| 包装/箱 | 1156-BBGA,FCBGA | 
| 供应商设备包装 | 1156-FCBGA(35x35) | 
| 基本零件号 | XC6VSX315T | 

XC6VSX315T-2FFG1156I
| 制造商包装说明 | 35 X 35 MM,无铅,FBGA-1156 | 
| 符合欧盟RoHS | 是 | 
| 状态 | 活性 | 
| 可编程逻辑类型 | 现场可编程门阵列 | 
| 最大时钟频率 | 1286.0兆赫 | 
| CLB-Max的组合延迟 | 4.29 ns | 
| JESD-30代码 | S-PBGA-B1156 | 
| JESD-609代码 | e1 | 
| 总RAM位 | 25952256 | 
| 输入数量 | 600.0 | 
| 逻辑单元数 | 314880.0 | 
| 输出数量 | 600.0 | 
| 端子数 | 1156 | 
| 最低工作温度 | -40℃ | 
| 最高工作温度 | 100.0℃ | 
| 包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 | 
| 包装代码 | BGA | 
| 包装等效代码 | BGA1156,34X34,40 | 
| 包装形状 | 四方形 | 
| 包装形式 | 网格阵列 | 
| 峰值回流温度(℃) | 245 | 
| 电源 | 1,1.2 / 2.5 | 
| 座高 | 3.5毫米 | 
| 子类别 | 现场可编程门阵列 | 
| 电源电压标称 | 1.0伏 | 
| 最小供电电压 | 0.95伏 | 
| 最大电源电压 | 1.05伏 | 
| 安装类型 | 表面贴装 | 
| 技术 | CMOS | 
| 温度等级 | 产业 | 
| 终端完成 | 锡/银/铜(Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 
| 终端表格 | 球 | 
| 端子间距 | 1.0毫米 | 
| 终端位置 | 底部 | 
| 时间@峰值回流温度-最大值(秒) | 30 | 
| 长度 | 35.0毫米 | 
| 宽度 | 35.0毫米 | 
| RoHS状态 | 符合ROHS3 | 
| 水分敏感性水平(MSL) | 4(72小时) | 
Virtex-6 SXT FPGA:具有高级串行连接的最高信号处理能力
LXT和SXT设备在同一封装中的占位面积兼容
先进的高性能FPGA逻辑
真正的6输入查找表(LUT)技术
双LUT5(5输入LUT)选项
LUT/双触发器对,适用于需要丰富寄存器混合的应用
改进的布线效率
每个6输入LUT64位(或两个32位)分布式LUTRAM选项
具有注册输出选项的SRL32/双SRL16
强大的混合模式时钟管理器(MMCM)
MMCM模块提供零延迟缓冲,频率合成,时钟相移,输入抖动滤波和相位匹配时钟分频
36Kb块RAM/FIFO
双端口RAM块
可编程的:
双端口宽度最大为36位
简单的双端口宽度高达72位
增强的可编程FIFO逻辑
内置可选的纠错电路
(可选)将每个块用作两个独立的18Kb块
高性能并行SelectIO?技术
1.2至2.5VI/O操作
使用ChipSync?技术的源同步接口
数控阻抗(DCI)有源终端
灵活的细粒度I/O银行业务
高速存储器接口支持,具有集成的写均衡功能
先进的DSP48E1片
25x18,二进制补码乘法器/累加器
可选流水线
新的可选预加器可帮助过滤应用程序
可选的按位逻辑功能
专用级联连接
灵活的配置选项
SPI和并行Flash接口
多比特流支持,带有专用的后备重新配置逻辑
自动总线宽度检测
所有设备上的系统监视器功能
片上/片外热和电源电压监控
JTAG访问所有监控数量
用于PCIExpress?设计的集成接口块
符合PCIExpress基本规范2.0
GTX收发器支持Gen1(2.5Gb/s)和Gen2(5Gb/s)
端点和根端口功能
每个块x1,x2,x4或x8通道支持
GTX收发器:最高6.6Gb/s
FPGA逻辑中的过采样支持低于480Mb/s的数据速率。
GTH收发器:2.488Gb/s至超过11Gb/s
集成的10/100/1000Mb/s以太网MAC块
使用GTX收发器支持1000BASE-XPCS/PMA和SGMII
使用SelectIO技术资源支持MII,GMII和RGMII
2500Mb/s支持
40nm铜CMOS工艺技术
1.0V核心电压(仅限-1,-2,-3速度等级)
低功耗0.9V内核电压选项(仅限-1L速度等级)
高信号完整性倒装芯片封装,提供标准或无铅封装选项

XC6VSX315T-2FFG1156I符号

XC6VSX315T-2FFG1156I脚印
