时间：2023/8/4 17:24:30
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产品型号 | XC6VLX195T-1FFG1156C |
描述 | IC FPGA 600 I/O 1156FCBGA |
分类 | 集成电路(IC)，嵌入式FPGA(现场可编程门阵列) |
生产厂家 | Xilinx公司 |
系列 | Virtex?-6 LXT |
部分状态 | 活性 |
电压-电源 | 0.95V~1.05V |
工作温度 | 0°C~85°C(TJ) |
包/箱 | 1156-BBGA，FCBGA |
供应商设备包 | 1156-FCBGA(35x35) |
基础部件号 | XC6VLX195T |
XC6VLX195T-1FFG1156C
可编程逻辑类型 | 现场可编程门阵列 |
符合REACH标准 | 是 |
符合欧盟RoHS标准 | 是 |
状态 | 活性 |
时钟频率-最大值 | 1098.0 MHz |
CLB-Max的组合延迟 | 5.08 ns |
JESD-30代码 | S-PBGA-B1156 |
JESD-609代码 | E1 |
总RAM位数 | 12681216 |
输入数量 | 600.0 |
逻辑单元的数量 | 199680.0 |
输出数量 | 600.0 |
终端数量 | 1156 |
工作温度-最小值 | 0℃ |
工作温度-最高 | 85℃ |
峰值回流温度(℃) | 245 |
电源 | 1,1.2 / 2.5 |
资格状态 | 不合格 |
坐姿高度-最大 | 3.5毫米 |
子类别 | 现场可编程门阵列 |
电源电压 | 1.0 V |
电源电压-最小值 | 0.95 V |
电源电压-最大值 | 1.05 V |
安装类型 | 表面贴装 |
技术 | CMOS |
温度等级 | 其他 |
终端完成 | 锡/银/铜(Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
终端表格 | 球 |
终端间距 | 1.0毫米 |
终端位置 | 底部 |
时间@峰值回流温度-最大值 | 三十 |
长度 | 35.0毫米 |
宽度 | 35.0毫米 |
包装体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包裹代码 | BGA |
包等价代码 | BGA1156,34X34,40 |
包装形状 | 广场 |
包装风格 | 网格阵列 |
制造商包装说明 | 35 X 35 MM，无铅，FBGA-1156 |
无铅状态/RoHS状态 | 无铅/符合RoHS标准 |
湿度敏感度等级(MSL) | 4(72小时) |
?Virtex-6 LXT FPGA：具有高级串行连接的高性能逻辑
?LXT和SXT器件在同一封装中兼容
?先进的高性能FPGA逻辑
?真正的6输入查找表(LUT)技术
?双LUT5(5输入LUT)选项
?LUT /双触发器对用于需要丰富寄存器混合的应用
?提高了路由效率
?每6输入LUT有64位(或两个32位)分布式LUT RAM选项
?SRL32 /双SRL16，带注册输出选项
?强大的混合模式时钟管理器(MMCM)
?MMCM模块提供零延迟缓冲，频率合成，时钟相移，输入抖动滤波和相位匹配时钟分频
?36-Kb块RAM / FIFO
?双端口RAM模块
?可编程的
。双端口宽度高达36位
。简单的双端口宽度高达72位
?增强的可编程FIFO逻辑
?内置可选的纠错电路
?可选择将每个块用作两个独立的18 Kb块
?高性能并行SelectIO?技术
?1.2至2.5VI / O操作
?使用ChipSync?技术进行源同步接口
?数字控制阻抗(DCI)有源终端
?灵活的细粒度I / O银行业务
?支持高速存储器接口，具有集成的写入均衡功能
?先进的DSP48E1切片
?25 x 18，二进制补码乘法器/累加器
?可选的流水线
?新的可选预加法器，可协助过滤应用程序
?可选的按位逻辑功能
?专用级联连接
?灵活的配置选项
?SPI和并行Flash接口
?具有专用回退重配置逻辑的多比特流支持
?自动总线宽度检测
?所有设备上的系统监视器功能
?片上/片外热量和电源电压监控
?JTAG访问所有受监控的数量
?用于PCIExpress?设计的集成接口模块
?符合PCI Express Base Specification 2.0
?Gen1(2.5 Gb / s)和Gen2(5 Gb / s)支持GTX收发器
?端点和根端口能够
?每个块x1，x2，x4或x8通道支持
?GTX收发器：高达6.6 Gb / s
?FPGA逻辑中的过采样支持低于480 Mb / s的数据速率。
?GTH收发器：2.488 Gb / s至超过11 Gb / s
?集成的10/100/1000 Mb / s以太网MAC块
?使用GTX收发器支持1000BASE-X PCS / PMA和SGMII
?使用SelectIO技术资源支持MII，GMII和RGMII
?提供2500Mb / s支持
?40 nm铜CMOS工艺技术
?1.0V核心电压(仅限-1，-2，-3速度等级)
?低功耗0.9V核心电压选项(仅限-1L速度等级)
?高信号完整性倒装芯片封装，提供标准或无铅封装选项
XC6VLX195T-1FFG1156C符号
XC6VLX195T-1FFG1156C脚印
