产品型号 | XC3S1200E-5FTG256C |
描述 | 集成电路FPGA 190 I / O 256FTBGA |
分类 | 集成电路(IC),嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列) |
产品型号 | XC3S1200E-5FTG256C |
描述 | 集成电路FPGA 190 I / O 256FTBGA |
分类 | 集成电路(IC),嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列) |
制造商 | Xilinx公司 |
系列 | Spartan?-3E |
打包 | 托盘 |
电压-电源 | 1.14V1.26V |
工作温度 | 0°C85°C(TJ) |
包装/箱 | 256-LBGA |
供应商设备包装 | 256-FTBGA(17x17) |
基本零件号 | XC3S1200E |
适用于大量面向消费者的应用的超低成本高性能逻辑解决方案
成熟的先进90纳米工艺技术
多电压,多标准SelectIO接口引脚
多达376个I/O引脚或156个差分信号对
LVCMOS,LVTTL,HSTL和SSTL单端信号标准
3.3V,2.5V,1.8V,1.5V和1.2V信令
每个I/O622+Mb/s数据传输速率
真LVDS,RSDS,mini-LVDS,差分HSTL/SSTL差分I/O
增强的双倍数据速率(DDR)支持
DDRSDRAM支持高达333Mb/s
丰富,灵活的逻辑资源
密度高达33,192个逻辑单元,包括可选的移位寄存器或分布式RAM支持
高效的宽复用器,宽逻辑
快速提前进位逻辑
带有可选管线的增强型18x18乘法器
IEEE1149.1/1532JTAG编程/调试端口
分层SelectRAM存储器架构
高达648Kbit的快速BlockRAM
高达231Kbit的高效分布式RAM
多达八个数字时钟管理器(DCM)
消除时钟偏移(延迟锁定环)
频率合成,乘法,除法
高分辨率相移
宽频率范围(5MHz至300MHz以上)
八个全局时钟,每个设备每半半个八个额外时钟,以及丰富的低偏斜布线
与行业标准PROM的配置接口
低成本,节省空间的SPI串行闪存PROM
x8或x8/x16并行NORFlashPROM
具有JTAG的低成本Xilinx平台闪存
完整的XilinxISE和WebPACK软件
MicroBlaze和PicoBlaze嵌入式处理器内核
完全兼容32-/64位33MHzPCI支持(某些设备为66MHz)
低成本QFP和BGA封装选项
通用封装支持轻松进行密度迁移
无铅包装选择
制造商包装说明 | FTBGA-256 |
符合REACH | 是 |
符合欧盟RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
可编程逻辑类型 | 现场可编程门阵列 |
最大时钟频率 | 657.0兆赫 |
CLB-Max的组合延迟 | 0.66纳秒 |
JESD-30代码 | S-PBGA-B256 |
JESD-609代码 | e1 |
总RAM位 | 516096 |
CLB数量 | 2168.0 |
等效门数 | 1200000.0 |
输入数量 | 190.0 |
逻辑单元数 | 19512.0 |
输出数量 | 150.0 |
端子数 | 256 |
最低工作温度 | 0℃ |
最高工作温度 | 85℃ |
组织 | 2168 CLBS,1200000个门 |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装代码 | LBGA |
包装等效代码 | BGA256,16X16,40 |
包装形状 | 四方形 |
包装形式 | 网格状,低轮廓 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
电源 | 1.2,1.2 / 3.3,2.5 |
座高 | 1.55毫米 |
子类别 | 现场可编程门阵列 |
电源电压标称 | 1.2伏 |
最小供电电压 | 1.14伏 |
最大电源电压 | 1.26伏 |
安装类型 | 表面贴装 |
技术 | CMOS |
温度等级 | 其他 |
终端完成 | 锡银铜 |
终端表格 | 球 |
端子间距 | 1.0毫米 |
终端位置 | 底部 |
时间@峰值回流温度-最大值(秒) | 30 |
长度 | 17.0毫米 |
宽度 | 17.0毫米 |