器件类型：TVS二极管阵列
　　通道数：6通道
　　工作电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：典型值3.8V（最大4.3V）
　　钳位电压（VC）：17V（@ IPP = 1A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（每通道）
　　电容值（Ct）：典型值0.3pF（高频下保持稳定）
　　ESD耐受能力：±15kV（IEC61000-4-2，空气/接触放电）
　　响应时间：小于1ps
　　漏电流（IR）：最大1μA（常温下）
　　封装形式：USON-10（DQN），无铅环保
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　安装方式：表面贴装（SMT）

XBS303V17R-G的核心特性之一是其超低电容设计，每个通道的电容典型值仅为0.3pF，这使其非常适合用于高速信号线路的保护，例如USB 2.0、HDMI、MIPI、SDIO等接口。在这些应用中，传统较高电容的保护器件可能会引起信号衰减、反射或失真，影响通信质量，而XBS303V17R-G则几乎不会引入额外的负载效应，确保了高速数据传输的完整性和稳定性。该器件采用双向TVS结构，支持正负向瞬态电压抑制，能够应对各种极性不确定的瞬态干扰场景。其内部结构经过优化，具备优异的热稳定性和长期可靠性，即使在频繁ESD冲击下也能维持性能不变。XBS303V17R-G符合RoHS和REACH环保标准，并通过AEC-Q101车规级可靠性测试，可用于车载信息娱乐系统中的敏感接口保护。该器件的低钳位电压特性意味着在发生ESD事件时，它能迅速将电压限制在安全范围内（17V以下），从而避免后级CMOS芯片栅氧层击穿。其极快的响应时间（<1ps）远优于传统的MOV或聚合物ESD器件，可在首个电压上升沿即开始导通泄放能量。此外，XBS303V17R-G具有非常低的漏电流（≤1μA），在待机或低功耗模式下不会增加系统的静态功耗，这对电池供电设备尤为重要。集成六通道设计使得单颗芯片即可完成多线保护，减少BOM数量并提升布局效率。USON-10封装底部带有散热焊盘，有助于提高热传导性能，增强功率承受能力。
　　该器件还具备良好的均匀性与一致性，各通道之间的参数偏差小，确保所有被保护线路享有同等级别的防护。在生产过程中，XBS303V17R-G经过严格的筛选和测试，保证批次间稳定性。其封装尺寸小巧（约1.0mm x 2.5mm x 0.5mm），非常适合高密度PCB布局需求。得益于Littelfuse在电路保护领域的深厚积累，XBS303V17R-G不仅提供出色的电气性能，还在机械强度、湿度抵抗和焊接兼容性方面表现优异，支持回流焊工艺，适应现代自动化生产线要求。总体而言，这款TVS阵列为高性能、小型化和高可靠性的ESD解决方案提供了理想选择。

XBS303V17R-G主要用于各类消费类电子设备中对高速数据接口进行静电放电（ESD）保护。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-C、Micro-USB、HDMI、DisplayPort等连接器接口，这些端口经常暴露在外，极易受到人体静电或接触插拔带来的瞬态高压冲击。该器件也可用于保护音频耳机插孔、SIM卡槽、SD卡接口以及触摸屏控制器信号线，防止因外部ESD导致屏幕失灵或控制器损坏。在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机中，由于空间极为有限且电池供电，XBS303V17R-G的小型化封装和低漏电流优势尤为突出。此外，该器件适用于工业控制面板、医疗监测设备中的人机交互界面（HMI）信号线保护，保障系统在恶劣电磁环境下的稳定运行。随着汽车电子化进程加快，XBS303V17R-G也被用于车载导航系统、倒车影像输入端口、车内USB充电接口等部位，提供可靠的ESD防护。在物联网终端设备中，如智能家居传感器、无线网关的通信引脚上，该器件同样发挥着关键作用。由于其支持IEC61000-4-2 Level 4标准，能够在最严酷的±15kV ESD环境下正常工作，因此适用于需要通过国际电磁兼容认证的产品设计。无论是研发阶段的原型验证，还是批量生产的成熟产品，XBS303V17R-G都能为高速信号链路提供持久、高效的过压保护能力，显著提升整机的耐用性和用户体验。

SP3012-04UTG