时间：2025/7/12 13:20:48
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XBL4015E1DTR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关等场景。
型号：XBL4015E1DTR
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（持续漏极电流）：15A
Qg（栅极电荷）：7nC
Eoss（输出电容能量损耗）：60nJ
Vgs(th)（阈值电压）：1.2V~3.0V
封装形式：DFN5*6-8L
工作温度范围：-55℃~150℃
XBL4015E1DTR具有非常低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
该器件支持高频率操作，可显著减少磁性元件体积和系统成本。
其小型化的DFN封装设计非常适合空间受限的应用环境。
MOSFET的热性能优越，能够在高温环境下稳定运行。
此外，它还具备优异的抗静电能力（ESD保护），从而增强了产品的可靠性。
XBL4015E1DTR广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
笔记本电脑及平板电脑的适配器与充电器
消费类电子产品中的DC-DC转换器
汽车电子系统的电源管理模块
工业自动化控制中的负载开关
通信设备中的高效功率转换电路
LED驱动器以及其他需要高频、低损耗开关的应用场景
XBL4015E1DTP, XBL4015E1DTRK
