类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：-4.1A（在Vgs = -4.5V时）
　　最大导通电阻（Rds(on)）：58mΩ（在Vgs = -4.5V时）
　　最大功率耗散（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-236（SOT23-6）
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC
　　输入电容（Ciss）：390pF
　　漏源击穿电压（BVdss）：-20V

XBB170P具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在Vgs为-4.5V时，Rds(on)仅为58mΩ，这一特性使其非常适合用于高效率的电源管理电路。此外，该器件的额定漏极电流为-4.1A，足以满足大多数中等功率应用的需求。
　　其次，XBB170P采用SOT23-6（TO-236）封装，这种小型封装不仅节省空间，还具备良好的热管理性能，使得该器件可以在紧凑的PCB布局中使用。同时，其最大功率耗散为1.4W，能够在不使用额外散热片的情况下保持稳定运行。
　　另外，XBB170P的栅极电荷（Qg）为9.5nC，较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，从而提高高频应用中的性能。输入电容（Ciss）为390pF，这对于高频开关应用中的动态响应具有积极影响。此外，该器件的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，使其能够在严苛的环境条件下可靠运行。
　　最后，XBB170P的设计采用了先进的沟槽技术，进一步优化了导通性能，并提高了器件的可靠性。这些特性使其成为各种电源管理应用的理想选择，尤其是在需要高效率和小尺寸封装的场景中。

XBB170P主要应用于电源管理和功率控制领域。由于其低导通电阻和紧凑的封装，常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中。在移动设备和便携式电子产品中，XBB170P可用于高效能的电源转换电路，以延长电池寿命并减小设备尺寸。此外，该器件还可用于电机驱动、LED照明控制和工业自动化系统中的功率开关应用。
　　在消费类电子产品中，XBB170P适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源管理模块。其优异的热性能和小型封装使其能够在有限的空间内实现高效的功率转换。在工业应用中，该器件可用于传感器接口电路、电机控制和工业自动化设备中的电源管理部分。
　　除此之外，XBB170P还可用于通信设备中的电源管理模块，例如路由器、交换机和基站设备中的DC-DC转换器。其高可靠性和宽工作温度范围确保了其在各种恶劣环境下的稳定运行。

IPD180P04P4-04, STD180P04F7, FDC640P