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XB0ASB03A1BR 发布时间 时间:2025/12/26 19:01:22 查看 阅读:8

XB0ASB03A1BR是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为高速数据线路和敏感电子电路的静电放电(ESD)保护而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备快速响应时间和低电容特性,能够在不影响信号完整性的前提下有效吸收瞬态过电压脉冲。XB0ASB03A1BR常用于便携式消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统中,以提高系统的可靠性和抗干扰能力。其紧凑的封装形式适合高密度PCB布局,同时支持自动化贴片生产流程。

参数

型号:XB0ASB03A1BR
  制造商:Littelfuse
  产品类型:TVS二极管阵列
  通道数:1通道
  工作电压(VRWM):3.0V
  击穿电压(VBR):4.0V(最小值)
  最大箝位电压(VC @ IPP):9.0V(典型值)
  峰值脉冲电流(IPP):1.5A(8/20μs波形)
  电容值(Ct):0.4pF(典型值,@ 1MHz)
  ESD保护等级:±15kV(空气放电)、±8kV(接触放电,IEC61000-4-2 Level 4)
  响应时间:小于1ns
  封装类型:SOD-882
  安装方式:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

XB0ASB03A1BR具有卓越的瞬态抑制性能,能够提供高效的静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT)保护。其核心优势在于极低的结电容(仅0.4pF),这一特性使其特别适用于高频信号线路的保护,如USB 2.0、HDMI、SD卡接口、触摸屏控制器等高速数据传输场景。在这些应用中,传统保护器件可能因过高电容导致信号衰减或失真,而XB0ASB03A1BR则能在几乎不引入额外负载的情况下完成瞬态电压抑制任务。
  该器件的响应时间小于1纳秒,意味着它可以在瞬态事件发生的瞬间立即导通并将有害能量导向地线,从而防止下游集成电路受到损坏。其额定峰值脉冲电流可达1.5A(基于8/20μs电流波形),表明其具备较强的瞬态能量吸收能力。此外,XB0ASB03A1BR符合IEC61000-4-2标准中最高的第四级防护要求,可承受±15kV空气放电和±8kV接触放电,满足严苛工业与消费类产品的电磁兼容性(EMC)需求。
  采用SOD-882超小型表面贴装封装,XB0ASB03A1BR占用PCB面积极小,仅为约1.0mm × 0.6mm,非常适合空间受限的应用场合,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。该封装还具备良好的热稳定性和机械强度,支持回流焊工艺,便于大规模自动化生产。由于其单向导通结构设计,XB0ASB03A1BR适用于直流或单极性信号线路的保护,避免反向漏电流对系统造成影响。整体来看,这款TVS阵列为现代电子系统提供了高性能、小型化且可靠的前端防护解决方案。

应用

XB0ASB03A1BR广泛应用于需要高水平ESD保护的便携式电子设备和通信接口中。典型应用场景包括移动电话、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的触摸屏信号线、摄像头模块、音频插孔及传感器接口的保护。此外,该器件也适用于笔记本电脑、数码相机和游戏设备中的高速数据端口,如USB OTG接口、I2C总线、SPI通信线路等。在工业控制领域,可用于PLC模块、人机界面(HMI)和远程IO单元中对抗现场环境中的静电干扰。汽车电子中的车载信息娱乐系统(IVI)、导航面板和辅助驾驶传感器接口也可采用该器件进行信号线路防护。由于其符合RoHS环保标准并支持无铅焊接工艺,XB0ASB03A1BR适用于各类绿色电子产品设计。

替代型号

SP3013-03UTG
  ESDA3V3U1-5BFY

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