时间：2025/5/22 11:53:04
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XARR-10VF 是一款基于砷化镓（GaAs）材料的射频功率晶体管，专为高频率、大功率无线通信系统设计。其典型应用场景包括雷达系统、基站功放以及军事通信设备等。该器件采用了先进的赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术，具有卓越的增益和效率表现，同时具备出色的线性度和稳定性。
类型：射频功率晶体管
材料：砷化镓（GaAs）
封装形式：陶瓷气密封装
频率范围：2 GHz 至 18 GHz
饱和输出功率：43 dBm
增益：8 dB
电源电压：12 V
静态电流：500 mA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
XARR-10VF 的核心优势在于其宽频带覆盖能力，能够在 2 GHz 到 18 GHz 的范围内保持稳定的性能输出。
此外，该器件通过优化栅极结构和内部匹配网络设计，显著提升了射频信号的线性度与抗干扰能力。
在实际应用中，它表现出较低的热阻和较高的可靠性，非常适合对性能要求极为苛刻的环境。
由于采用陶瓷气密封装，XARR-10VF 还具备良好的防潮和抗氧化特性，延长了使用寿命。
XARR-10VF 广泛应用于各种高性能射频系统中，包括：
- 军用雷达和卫星通信系统
- 商业基站的大功率放大器
- 微波链路传输设备
- 测试测量仪器中的信号源放大
- 高速数据链路和远程无线通信
其高频段支持和高输出功率使该器件成为复杂射频系统的理想选择。
XARR-12VF
XARR-8VF
MAT-043
RFH226
