XARP-02V-Z 时间：2025/12/27 16:36:04 阅读：12

XARP-02V-Z是一款由Crane Electronics生产的高可靠性、双通道反向电流保护二极管阵列，专为航空航天、军事和高可靠性工业应用设计。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET与控制电路，用于替代传统肖特基二极管，实现高效、低功耗的电源反向极性保护和冗余电源ORing功能。其主要优势在于显著降低了导通损耗，避免了传统二极管因正向压降（通常0.3V~0.7V）导致的发热和能量浪费。XARP-02V-Z采用先进的封装技术，具备出色的热性能和机械稳定性，适用于极端环境下的电源系统保护。该器件通过控制栅极电压来实现对MOSFET导通状态的精确管理，确保在正常供电时低阻抗导通，在反向电压或故障条件下迅速关断，从而保护后级电路免受损坏。此外，XARP-02V-Z具有过压锁定、静电放电（ESD）保护和热关断等多重保护机制，增强了系统的鲁棒性和长期运行的可靠性。由于其高集成度和小型化设计，XARP-02V-Z非常适合空间受限但对可靠性要求极高的应用场景，如卫星电源系统、航空电子设备和军用通信平台。

参数

制造商：Crane Electronics
　　产品系列：XARP
　　通道数：2
　　工作电压范围：4.5V ~ 55V
　　最大持续漏极电流（每通道）：2A
　　导通电阻（典型值）：30mΩ
　　栅极驱动方式：电荷泵自举
　　静态电流（待机模式）：＜100μA
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装类型：陶瓷扁平封装（Ceramic Flatpack）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：8

特性

XARP-02V-Z的核心特性之一是其基于电荷泵的栅极驱动技术，使其能够在无需外部辅助电源的情况下实现P沟道MOSFET的完全增强导通。传统P-MOSFET在高端开关应用中常因栅极电压不足而无法充分导通，导致导通电阻升高和功耗增加。XARP-02V-Z内置电荷泵电路，可将栅极电压拉低至远低于源极电位，确保MOSFET在宽输入电压范围内均能处于饱和导通状态，从而将导通损耗降至最低。这一特性显著提升了电源效率，尤其在大电流或长时间运行的应用中效果更为明显。
　　另一个关键特性是其双通道独立控制能力。每个通道均可独立工作，支持冗余电源系统的ORing功能，即在主电源失效时自动切换至备用电源，确保系统持续供电。该功能广泛应用于高可用性系统，如飞行控制系统、雷达模块和无人平台。每个通道具备独立的故障检测和隔离机制，一旦检测到过流、反向电压或短路，立即关断对应通道而不影响另一通道的正常运行，提高了系统的容错能力和安全性。
　　该器件还具备优异的环境适应性。其陶瓷封装不仅提供了良好的热传导性能，还能有效抵御湿气、腐蚀和机械振动，符合MIL-STD-883等军用标准的测试要求。工作温度范围覆盖-55°C至+125°C，确保在极寒或高温环境下稳定运行。此外，XARP-02V-Z通过了严格的辐射耐受性评估，适用于近地轨道及深空任务中的电子系统，能够抵抗总电离剂量（TID）和单粒子效应（SEE）的影响，保障航天器电源系统的长期可靠性。

应用

XARP-02V-Z广泛应用于对可靠性和效率要求极高的领域。在航空航天领域，它被用于卫星电源管理单元（PMU）、星载计算机供电系统以及火箭制导系统的冗余电源切换，确保在复杂电磁环境和极端温度条件下仍能稳定工作。其低功耗特性有助于减少热管理负担，延长航天器在轨寿命。
　　在军事电子系统中，XARP-02V-Z常见于战术通信设备、无人机（UAV）电源模块、舰载雷达系统和便携式战场终端。这些设备通常依赖电池供电，对能效极为敏感，XARP-02V-Z的低导通电阻可显著延长续航时间。同时，其快速响应能力和故障隔离机制有助于提升战场环境下的系统生存能力。
　　在高可靠性工业应用中，该器件可用于医疗成像设备、深海探测器和核电站监控系统等关键基础设施的电源保护。这些场景往往不允许停机维护，因此需要元器件具备长寿命和高容错性。XARP-02V-Z的冗余设计和自诊断功能恰好满足此类需求。此外，其小型化封装也便于集成到紧凑型模块中，适用于模块化电源架构和分布式供电系统。