容量：8K x 8位
　　电源电压：4.5V至5.5V
　　最大访问时间：12ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装形式：48引脚SSOP
　　数据保存时间：10年（典型值）
　　写入周期耐久性：1百万次
　　存储器类型：NVSRAM（非易失性SRAM）
　　读写速度：与标准SRAM兼容
　　自动数据存储：支持断电自动存储（AutoStore）
　　手动存储功能：支持软件和硬件触发存储

X2948CEN2的核心特性之一是其NVSRAM技术，结合了高速SRAM和非易失性EEPROM的优势。正常工作时，它像标准SRAM一样提供快速的数据访问，读写速度可达12ns，适用于高性能系统。在断电或系统复位时，芯片会自动将SRAM中的数据保存到内部EEPROM中，确保关键数据不会丢失。当电源恢复后，数据又能自动恢复到SRAM中，使系统能够继续正常运行。
　　该芯片支持多种数据存储触发方式，包括自动存储（AutoStore）、硬件触发存储（通过HOLD或STORE引脚）以及软件控制存储。这种灵活性使得X2948CEN2可以适应多种系统设计需求。此外，X2948CEN2具有高可靠性，其EEPROM单元可承受多达100万次写入/读取周期，数据保存时间长达10年以上，适用于对数据完整性和系统稳定性要求极高的工业和通信应用。
　　在电源管理方面，X2948CEN2内置电压监测电路，能够检测电源电压的下降并在电源失效前触发数据存储操作，从而有效防止数据丢失。其低功耗设计在待机模式下可将功耗降至最低，适用于对功耗敏感的应用场景。

X2948CEN2广泛应用于需要高速数据存储和断电数据保护的场合。典型应用包括工业控制系统中的实时数据缓存、网络通信设备中的配置信息保存、医疗设备中的关键数据记录、数据采集系统中的高速缓存、自动化设备中的状态保存等。由于其高可靠性、高速访问和非易失性特性，该芯片也常用于航空航天、军事和汽车电子等对数据安全性和系统稳定性要求极高的领域。

X2948CEN2的替代型号包括X2948CEN2G、X2948CET2、X2948CE12C和X2948CES2等。这些型号在功能和性能上相似，但在封装形式、引脚定义或工作温度范围方面可能略有不同，使用时应根据具体需求进行选择。