时间：2025/7/22 1:08:49
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X2864DM-25 是一款由 Xicor（现为 Intersil）制造的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该器件结合了 SRAM 的高速访问特性与 EEPROM 的非易失性存储能力，适用于需要数据保留和快速读写操作的应用。X2864DM-25 是一个 8K x 8 位的存储器，提供 25ns 的最大访问时间，适用于高速系统设计。
容量：64Kbit（8K x 8）
访问时间：25ns
工作电压：5V
封装类型：28引脚 DIP 或 PLCC
读写模式：异步
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
X2864DM-25 具有高速访问能力，其 25ns 的访问时间使其适用于需要快速数据读取和写入的系统。该芯片内置非易失性存储单元，能够在断电情况下保留数据，且无需外部电池支持。此外，X2864DM-25 支持无限次的读写操作，写入数据时不会出现存储单元磨损问题，这与传统的 EEPROM 或 Flash 存储器不同。其 5V 单电源供电简化了电源设计，同时具有较低的功耗，适合用于工业控制、网络设备、通信设备以及需要高可靠性的系统中。该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
X2864DM-25 采用异步接口，兼容标准的 SRAM 控制信号，如地址锁存使能（ALE）、写使能（WE）和输出使能（OE），这使得其在与微控制器或 DSP 等处理器连接时更加方便。此外，该芯片还支持硬件数据保护功能，防止意外写入或擦除数据，从而提高系统的可靠性。NVSRAM 技术使得该芯片在系统掉电时可以自动将 SRAM 中的数据保存到 EEPROM 单元中，并在电源恢复后自动将数据恢复回 SRAM，确保数据的完整性。
X2864DM-25 常用于需要高速非易失性存储器的系统中，如工业控制系统、网络路由器和交换机、通信设备、测试与测量仪器、数据采集系统以及医疗设备等。其非易失性和高速访问特性使其成为替代传统 EEPROM 和 Flash 存储器的理想选择，尤其是在需要频繁写入和数据保护的应用场景中。
X2864SM-25, X28C64DM-25, CY7C1361DV33-25, IS62C64AL-25
