器件类型：TVS 二极管阵列
　　通道数：4 通道
　　工作电压（VRWM）：20V
　　击穿电压（VBR）：22.2V（最小值）
　　最大钳位电压（VC）：35.5V（在 IPP = 1A 条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.8A（每通道）
　　峰值脉冲功率（PPP）：73W（8/20μs 波形）
　　反向漏电流（IR）：≤1μA @ VRWM
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：MLF-10（3mm × 3mm）
　　引脚数：10
　　ESD 抑制能力：±30kV（IEC 61000-4-2, Contact Discharge）
　　数据速率支持：高达 5Gbps
　　寄生电感：<1nH（典型值）
　　通道间电容匹配误差：<5%

X201640MLD4SI 的核心特性之一是其四通道双向 TVS 架构，允许在同一封装内实现多条信号线的同时保护，显著节省 PCB 布局空间并简化设计复杂度。每个通道均具备独立的瞬态响应机制，能够在纳秒级时间内响应 ESD 脉冲，有效防止高压尖峰传递至后级 IC。该器件采用先进的硅晶圆工艺制造，具有极低的动态阻抗，这意味着在大电流冲击下仍能维持较低的钳位电压，从而更好地保护低压逻辑电路如 FPGA、ASIC 和微控制器等。此外，其双向二极管结构使其适用于交流或双向信号线路，例如 RS-485、CAN 总线和音频接口等应用场景。
　　另一个关键优势在于其超低电容特性，典型值仅为 1.5pF 每通道，极大减少了对高频信号的衰减和失真，确保高速数据传输链路的完整性。这对于支持 USB 3.0、HDMI 2.0 或 PCIe 等高速协议至关重要。同时，该器件具有优异的热稳定性，即使在长时间承受重复性瞬态事件后也能保持性能一致性，避免老化导致的防护能力下降。内置的热关断机制进一步增强了长期运行的可靠性。
　　X201640MLD4SI 还具备出色的电磁兼容性（EMC）表现，符合 IEC 61000-4-2 Level 4、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 等国际标准，适用于需要通过严格认证的产品设计。其 MLF 封装不仅尺寸小巧，还提供了良好的散热路径，有助于将瞬态能量快速导出至 PCB 地平面。此外，器件的低漏电流特性使其非常适合电池供电设备，不会造成额外的待机功耗。整体而言，X201640MLD4SI 在保护性能、集成度和适用性方面达到了高度平衡，是现代高密度电子系统中理想的瞬态抑制解决方案。

X201640MLD4SI 广泛应用于各类需要高等级 ESD 和浪涌保护的电子系统中。典型使用场景包括便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，其中 USB Type-C 接口、触摸屏控制器和摄像头模组等高速信号线路极易受到人体静电放电的影响，该器件可有效提升整机的抗干扰能力和产品寿命。在通信领域，它常用于以太网端口、光模块接口和射频前端电路的保护，保障数据传输的稳定性和连续性。
　　工业自动化系统也是其重要应用方向，例如 PLC 控制器、传感器接口和现场总线节点，这些设备往往暴露在复杂电磁环境中，易受电感负载切换引起的电快速瞬变干扰，X201640MLD4SI 可为其提供可靠的输入级防护。此外，在汽车电子中，尽管该型号并非 AEC-Q101 认证器件，但仍可用于非动力域的车载信息娱乐系统、导航模块和车内通信接口中，特别是在涉及外部连接器的部分。
　　医疗电子设备同样受益于该器件的高可靠性与低噪声特性，适用于病人监测仪、便携式诊断设备的数据端口保护，确保信号精度不受外部瞬态干扰影响。最后，在测试测量仪器和高性能计算设备中，X201640MLD4SI 被用于保护高阻抗模拟输入和高速数字总线，防止因意外接触带电体而导致昂贵主控芯片损坏。综上所述，该器件适用于任何对信号完整性、空间利用率和防护等级有较高要求的应用场景。

RCLAMP0524P
　　SP3209-24TTG
　　TPD4EUSB30DR