尺寸：2.0mm x 1.6mm (2016 Metric)
　　封装类型：0805
　　电容值：22μF
　　额定电压：4V DC
　　温度特性：X7R (±15%)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（Class II）
　　电极结构：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　电容公差：±20%
　　最小击穿电压：≥6V
　　老化率：典型值为<2.5% / decade hour
　　绝缘电阻：IR ≥ 50 MΩ 或 RC ≥ 1000 sec（取较大者）
　　ESR（等效串联电阻）：低至数毫欧级别（具体依频率而定）
　　谐振频率：约10MHz（取决于PCB布局与测量条件）

X201626MOB4SC作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备优异的电气性能和机械可靠性。其核心特性之一是采用了高介电常数的X7R陶瓷材料，使得在微小体积内实现高达22μF的电容值成为可能，显著提升了单位体积的能量存储密度。这种材料在宽温度范围内（-55°C至+125°C）保持相对稳定的电容特性，变化幅度控制在±15%以内，适合对温漂有一定容忍度但要求高容量的应用场景。
　　该器件采用先进的叠层制造工艺，内部由数十甚至上百层交替排列的陶瓷介质与内电极构成，极大增加了有效极板面积，从而提升总电容量。同时，其内电极为贵金属材料（如钯银合金）或铜基系统，外电极为三层结构（Cu/Ni/Sn），提供良好的焊接性、耐热性和抗环境腐蚀能力。特别地，X201626MOB4SC优化了端子结构设计，具备较强的抗板弯和热应力开裂能力，有效防止因PCB弯曲或回流焊过程引起的陶瓷裂纹，提高了长期使用的可靠性。
　　在高频应用方面，该电容器展现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少功率损耗并提高去耦效率，尤其适用于高速数字IC的电源旁路。此外，它符合RoHS环保标准，无铅兼容，支持无铅回流焊工艺（峰值温度可达260°C），满足现代电子产品绿色制造的要求。整体而言，X201626MOB4SC在小型化、高容、高可靠与环保之间实现了良好平衡，是消费类电子、通信设备和工业控制系统中的理想选择。

X201626MOB4SC多层陶瓷电容器广泛应用于各类需要稳定电容性能和紧凑空间布局的电子系统中。在移动通信设备领域，如智能手机和平板电脑中，该电容器常被用作处理器、内存模块和射频前端芯片的电源去耦元件，有效滤除高频噪声，保障供电质量，提升系统稳定性与信号完整性。由于其小尺寸和高电容密度，非常适合高密度PCB布局需求，帮助节省宝贵的主板空间。
　　在消费类电子产品中，包括可穿戴设备、数码相机和便携式音频播放器，X201626MOB4SC用于DC-DC转换器的输入输出滤波，平滑电压波动，抑制开关电源产生的纹波电流，确保后级电路获得洁净的直流电源。此外，在电源管理单元（PMU）和低压差稳压器（LDO）周围也常见其身影，发挥旁路和储能作用。
　　工业控制与汽车电子领域同样大量采用此类器件。尽管该型号额定电压较低（4V），但在车载信息娱乐系统、传感器接口电路和微控制器单元中仍可用于低电压轨的信号耦合与噪声抑制。其宽工作温度范围使其能适应较为严苛的环境条件。另外，在测试测量仪器、医疗电子设备以及物联网节点中，该电容器凭借高可靠性与一致性，为精密模拟电路提供稳定的参考电压支持，降低外界干扰影响，提升整体系统精度与响应速度。