时间：2025/6/26 11:33:17
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WVM7N60是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等高电压应用场合。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够有效提升系统的效率和可靠性。
WVM7N60属于N沟道增强型MOSFET，其设计旨在满足高功率密度和高效能转换的需求，适用于多种工业和消费类电子设备。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：7A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：1.5Ω（最大值，在VGS=10V时）
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃~150℃
WVM7N60具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（600V），适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻（1.5Ω），有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度，可提高系统的工作效率。
4. 良好的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. TO-220封装形式，便于散热和安装。
WVM7N60广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 各种工业自动化设备中的高压开关。
5. 消费类电子产品中的功率管理模块。
6. LED驱动器和照明系统。
IRF840,
STP7NK60Z,
FQA7N60C
