时间：2025/7/12 9:50:02
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WVM18N50是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动以及工业控制等场合。其额定电压为50V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备良好的热性能和可靠性。
这款功率MOSFET的内部结构采用了先进的半导体制造工艺，确保在高频开关应用中提供高效的性能表现。此外，其快速开关特性和较低的栅极电荷使得它非常适合用于需要高效率和低损耗的设计中。
最大漏源电压：50V
最大连续漏电流：18A
最大功耗：130W
导通电阻（典型值）：6mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：2950pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
WVM18N50具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 优化的热阻设计，使器件能够在高温条件下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠的电气性能和长期稳定性，适用于工业级应用需求。
WVM18N50主要应用于以下几个领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC/DC转换器和DC/DC变换器。
2. 各类电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
5. 电池充电器及保护电路。
6. 电磁阀驱动以及其他需要大电流切换的应用场景。
WVM20N50, IRF540N, STP18NF50
