时间：2025/8/21 1:06:25
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WTS701MF/T是一款由WeEn半导体（原意法半导体功率分部）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面条形技术制造，具备优良的导通电阻和开关性能。该器件广泛用于电源管理和DC-DC转换应用中，具有高耐压、低导通损耗和高可靠性等优点。其封装形式为TO-220F，适合在中高功率环境下使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A（Tc=25℃）
最大漏源电压（VDS）：75V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值4.5mΩ（当VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
WTS701MF/T具备极低的导通电阻，使得在大电流应用中可以有效降低功率损耗，提高系统效率。
该器件采用了先进的平面条形结构，增强了电流承载能力和热稳定性。
此外，其高栅极击穿电压（±20V）使其在驱动电路设计中更具灵活性，降低了栅极驱动电路的敏感性。
该MOSFET具有良好的热阻特性，TO-220F封装便于散热和安装，适合长时间高负载运行的环境。
内置的体二极管具备良好的反向恢复特性，适用于需要频繁开关的应用场景，如电机驱动和同步整流。
由于其高可靠性和稳定性能，WTS701MF/T常被用于汽车电子、工业电源、电池管理系统和电动工具等领域。
WTS701MF/T主要用于中高功率电源管理系统，如DC-DC转换器、电机控制器、电池充放电管理电路以及各种类型的开关电源设备。
在汽车电子领域，该器件可用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）和电动压缩机控制模块。
在工业自动化设备中，它被广泛应用于伺服电机驱动器和工业机器人电源模块。
此外，该MOSFET也适用于储能系统、UPS不间断电源和太阳能逆变器等高可靠性要求的应用场景。
由于其良好的导通特性和热稳定性，也被用于高频开关应用和高效率电源设计中。
STP75NF75, IPW90R120C3, FDP7030BL, IRLB8721
