类型：NPN晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

WTBAT54HJG具有优良的电气特性和稳定的性能，适用于广泛的模拟和数字电路应用。其高电流增益（hFE）使其在放大电路中表现出色，能够有效增强信号强度。同时，该晶体管的低饱和压降（Vce_sat）有助于降低功耗，提高电路效率。
　　此外，WTBAT54HJG采用SOT-23小型封装，便于在高密度PCB设计中使用，节省空间并提高整体设计的灵活性。该封装还具有良好的热性能，能够在较高温度环境下稳定工作。
　　晶体管的制造工艺符合国际标准，具备良好的互换性和可靠性，适合在各种工业、消费电子和汽车电子系统中使用。其宽广的工作温度范围使其能够在极端环境下保持稳定运行，适用于对温度适应性要求较高的应用场景。

WTBAT54HJG广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要中低功率开关和信号放大的电路中。常见的应用包括电源管理电路、LED驱动电路、音频放大器、传感器接口电路、数据通信设备以及各种嵌入式控制系统。
　　在数字电路中，WTBAT54HJG可用于构建逻辑门、缓冲器和开关电路，实现高效的信号处理。在模拟电路中，它可用于构建放大器、振荡器和稳压电路，提供稳定可靠的信号处理能力。此外，在汽车电子系统中，该晶体管可用于控制照明、风扇、继电器等负载，满足汽车环境下的高可靠性要求。

BC547, 2N3904, MMBT3904, 2N2222, PN2222