类型：MOSFET
　　沟道类型：双N沟道
　　最大漏极电流（ID）：3A（单通道）
　　最大漏极-源极电压（VDS）：20V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤28mΩ（在VGS=4.5V时）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：SOP8

WST8205作为一款高性能MOSFET，具有多个显著特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）特性使其在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为较低的功耗可以延长电池的使用寿命。
　　其次，WST8205采用双N沟道结构设计，使得在单一封装中集成两个独立的MOSFET，适用于需要双向控制的应用场景，例如电池充放电管理。这种集成设计不仅节省了PCB空间，还降低了设计复杂度。
　　此外，WST8205具有较高的耐压能力和较强的电流承载能力，能够在较高负载条件下稳定工作。同时，其良好的热稳定性确保了在高温环境下仍能保持可靠的性能，避免因过热导致的失效问题。
　　最后，WST8205支持快速开关操作，具有较短的开关延迟时间和上升/下降时间，适用于高频开关应用。这使得它在DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器等应用中表现出色。

WST8205广泛应用于各类电子设备中，尤其是在锂电池保护电路中作为主开关使用。常见的应用包括移动电源、智能穿戴设备、手持式电子设备、电动工具和电池管理系统（BMS）。在这些应用中，WST8205主要用于实现过流保护、短路保护、过压保护以及电池充放电控制等功能。
　　在电源管理系统中，WST8205可用于实现高效的负载开关控制，确保在负载异常时能够迅速切断电源供应，防止系统损坏。此外，由于其低导通电阻和高效率特性，WST8205也常用于DC-DC转换器和同步整流电路中，以提高电源转换效率。
　　在工业控制和自动化系统中，WST8205可用于驱动小型马达、继电器和LED照明系统，提供可靠的开关控制功能。

Si2302DS, 2N7002, AO3400, IRF7304