类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为8.5mΩ（在VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：约35nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

WST3035采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和优异的热稳定性使其在高功率密度应用中表现出色。该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和使用。此外，WST3035具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在突变负载或感性负载应用中的可靠性。其封装设计优化了散热性能，使得在没有额外散热片的情况下也能稳定工作。该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电源系统，有助于减小外围元件尺寸，提高整体系统效率。
　　WST3035的制造工艺确保了器件的一致性和高可靠性，适用于汽车电子、工业控制、通信设备、消费类电源等多种应用领域。此外，其低门极电荷和低输入电容有助于降低驱动损耗，提高系统响应速度。

WST3035广泛应用于各种功率电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、电源管理模块以及高效率电源适配器等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。在汽车电子领域，WST3035可用于车载电源转换系统、LED照明驱动以及电动助力转向系统中的功率控制部分。此外，它也适用于服务器电源、UPS不间断电源以及工业自动化设备中的功率开关控制。

IPD30N03S4-03, FDS3035, SI4410DY