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WSL2512R5000FEA 发布时间 时间:2025/5/8 18:47:48 查看 阅读:18

WSL2512R5000FEA是一款基于氮化镓(GaN)技术的高功率密度、高效能场效应晶体管(FET),适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频功率放大器等应用。该器件采用先进的25mΩ导通电阻设计,能够显著降低传导损耗,并支持高达100V的工作电压。其封装形式为TO-263(DPAK),具备出色的散热性能和可靠性。
  这款芯片的主要特点是低导通电阻与快速开关特性相结合,从而减少了开关损耗并提高了整体效率。此外,它还内置了ESD保护功能以增强稳定性。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻:25mΩ
  栅极电荷:7.8nC
  输入电容:980pF
  反向传输电容:180pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

WSL2512R5000FEA具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻(25mΩ),可减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 内置ESD保护机制,增强了器件的抗静电能力。
  4. 支持宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),确保在极端环境下的可靠运行。
  5. TO-263封装形式提供良好的热管理和机械稳定性。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅焊接兼容。

应用

WSL2512R5000FEA适用于多种高要求的电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 射频功率放大器中的开关元件。
  4. 电动车辆(EV)充电设备中的功率变换模块。
  5. 工业自动化系统中的电机驱动控制电路。
  6. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率管理部分。

替代型号

WSL2512R5500FEA, WSL2512R4500FEA

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WSL2512R5000FEA参数

  • 标准包装2,000
  • 类别电阻器
  • 家庭芯片电阻 - 表面安装
  • 系列WSL
  • 电阻(欧姆)0.5
  • 功率(瓦特)1W
  • 复合体金属元素
  • 特点电流检测
  • 温度系数±75ppm/°C
  • 容差±1%
  • 封装/外壳2512(6432 公制),带
  • 尺寸/尺寸0.250" L x 0.125" W(6.35mm x 3.18mm)
  • 高度0.035"(0.89mm)
  • 端子数2
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称WSLG-.50TR