WSI57C49C-55TMB 是一款由 Winbond 生产的高性能 CMOS 同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片,常用于需要高速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备中。该型号提供 512K x 16 位的存储容量,工作电压为 3.3V,并支持同步突发访问模式,以提高数据传输效率。
容量:512K x 16 位
电压:3.3V
访问时间:5.5ns
封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据速率:180MHz
接口类型:并行
刷新周期:64ms
封装引脚数:54 引脚
WSI57C49C-55TMB 具备低功耗设计,适合于电池供电和便携式设备。其高速访问时间(5.5ns)使其适用于需要快速数据存取的场景,例如工业控制、网络设备和通信模块。此外,该芯片支持同步突发模式,允许在单个读取或写入操作中连续访问多个地址,从而显著提升数据吞吐量。
该 SDRAM 芯片还具备自动刷新和自刷新功能,可在不丢失数据的情况下进入低功耗模式,适合长时间运行的应用。其 TSOP 封装结构紧凑,便于在空间受限的 PCB 设计中使用。工作温度范围广泛(-40°C 至 +85°C),确保其在各种工业环境中的稳定运行。
WSI57C49C-55TMB 主要用于工业控制设备、嵌入式系统、网络路由器、通信设备和测试仪器等需要高速、低功耗存储解决方案的场合。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于恶劣环境下的长期运行应用。
IS61LV51216-55T