容量：256Kbit
　　组织结构：32K x 8
　　电源电压：5V
　　访问时间：45ns
　　封装类型：57引脚塑料封装
　　工作温度范围：0°C 至 70°C 或 -40°C 至 85°C
　　接口类型：并行接口
　　功耗：典型值为1.5W
　　数据保持电压：2V
　　时钟频率：无内置时钟

WSI57C256F-45C 是一款高性能的 SRAM 芯片，其访问时间为45ns，适用于需要快速读写操作的应用。该芯片的32K x 8位组织结构使其能够存储32,768个地址，每个地址包含8位数据。电源电压为5V，保证了与大多数逻辑电路的兼容性。该芯片的低功耗设计使其在待机模式下的电流消耗极低，非常适合对功耗敏感的应用。
　　此外，WSI57C256F-45C 提供了数据保持功能，在电源电压下降到2V时仍能保持存储的数据，确保在电源中断情况下数据不会丢失。该芯片的并行接口设计使其能够方便地与微处理器和其他数字电路连接，简化了系统设计。封装形式为57引脚塑料封装，便于安装和使用。
　　该芯片的稳定性和可靠性使其在各种工业和通信应用中表现出色。其工作温度范围覆盖了从0°C到85°C的宽泛范围，确保在高温和低温环境下的正常工作。WSI57C256F-45C 还具有良好的抗干扰能力和较长的数据保持时间，是高性能嵌入式系统的理想选择。

WSI57C256F-45C SRAM 芯片常用于需要高速数据存储和快速访问的应用中，如工业控制系统、通信设备、网络路由器和交换机、嵌入式系统、数据采集设备等。由于其低功耗和高可靠性，该芯片也适合用于便携式设备和远程监测系统中。此外，WSI57C256F-45C 还可用于存储关键数据和临时变量，确保系统在运行过程中能够快速读写数据，提高整体系统性能。

IDT71256SA45B, CY7C199-45PC, HM62256BLP-45