类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：30A（@25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大70mΩ（@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

WSF30100D具备多项优异特性，确保其在高功率应用中稳定可靠。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，器件具有高耐压能力（100V VDS），适用于中高功率的DC-DC转换器和电源开关系统。此外，WSF30100D支持高达30A的连续漏极电流，适用于需要大电流输出的应用场景，如电动工具、工业电机控制和电池管理系统。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，采用高散热效率的封装设计，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度，延长使用寿命。同时，其±20V的栅极耐压能力提高了抗干扰能力，防止因电压尖峰导致的栅极击穿，增强了系统的稳定性与安全性。
　　此外，WSF30100D采用无铅环保封装工艺，符合RoHS和REACH环保标准，适用于各种对环保要求较高的工业和消费类电子产品。

WSF30100D主要应用于以下领域：
　　? 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器
　　? DC-DC降压/升压转换器，如车载电源适配器、太阳能逆变器
　　? 电机驱动和电机控制电路
　　? 负载开关和电池管理系统（BMS）
　　? 工业自动化控制系统
　　? 高功率LED驱动电路
　　? 电动工具和便携式设备电源管理

IRF30N10D, FDP30N10DV, STP30NF10