时间：2025/8/2 5:42:30
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WSF28N06是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机驱动等领域。这款MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和高耐用性等优点。其封装形式通常为TO-220或DPAK等，适合在中高功率应用中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：28A（在25℃）
导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V～2.5V
最大功耗（PD）：100W（TO-220封装）
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装类型：TO-220、DPAK等
WSF28N06具有多项优异特性，首先其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用场景。其次，该器件具备较高的开关速度，使得在高频开关应用中表现良好，减少开关损耗。此外，MOSFET的结构设计使其具有良好的热稳定性和耐久性，能够在较高温度下稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至10V之间即可实现完全导通，适用于多种控制电路。WSF28N06还具备较强的短路耐受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。最后，其TO-220或DPAK封装形式便于散热设计，适用于工业级和消费类电子设备。
WSF28N06广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关以及LED照明驱动等。此外，它也常用于逆变器、充电器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和家用电器中作为功率开关元件。由于其良好的性能和可靠性，WSF28N06在汽车电子系统、太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用。
IRFZ44N, STP28NF06, FDPF28N06, IPEX28N06
