时间：2025/8/3 15:32:17
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WSD75100DN56是一款由半导体公司设计和制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的工艺制造，以提供优异的电气性能和热稳定性。其主要功能是在高电压和高电流条件下进行快速开关操作，从而实现高效的功率转换。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：56mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：100nC（典型值）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
WSD75100DN56具有极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件还具备高电流处理能力，能够在持续高负载条件下稳定运行。其高栅极电荷特性使其适用于需要快速开关的应用，例如DC-DC转换器和电机控制电路。
此外，WSD75100DN56的封装形式提供了良好的散热性能，能够在高温环境下保持稳定运行。其宽工作温度范围也使其适用于各种恶劣的工作环境，如工业自动化设备和汽车电子系统。
该MOSFET还具有优异的雪崩击穿耐受能力，能够承受短时间的过压和过流情况，从而提高系统的可靠性和耐用性。其栅极保护设计也使其在高噪声环境中具有良好的抗干扰能力。
WSD75100DN56广泛应用于各种功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统和电池充电器等。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源系统、电动助力转向系统和车载充电器等应用。在工业领域，该器件可用于伺服电机控制、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等设备。
由于其高可靠性和优异的热性能，WSD75100DN56也被广泛应用于高功率密度和高效率要求的电源设计中，如服务器电源、通信设备电源和工业自动化控制系统。
Si7452DP-T1-GE3, IRF1010Z, FDP7530, STP75NF75
