时间：2025/8/2 6:01:12
阅读：20
WSD3070DN是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用高性能的沟槽式栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合在电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电系统中使用。WSD3070DN采用了高热效率的DFN5x6封装，确保在高功率密度环境下仍能保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：130W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：DFN5x6
WSD3070DN具备多项优异特性，确保其在多种高功率应用场景中的稳定性和高效性。
首先，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。在Vgs=10V时，其Rds(on)仅为4.2mΩ，这使得在高电流工作条件下仍能保持较低的功耗。
其次，WSD3070DN的最大漏极电流可达120A，适用于高电流负载的开关控制。其漏源电压（Vds）额定值为30V，适用于中低压功率转换系统，如电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在±20V范围内工作，允许使用标准的10V或12V栅极驱动器进行控制，提高了设计的灵活性。WSD3070DN的封装形式为DFN5x6，具有较小的封装尺寸和良好的热管理性能，适合高密度PCB布局并确保良好的散热效果。
最后，该MOSFET的热阻（Rth）较低，使得在高功率工作状态下仍能保持良好的热稳定性，延长器件的使用寿命并提高系统可靠性。
WSD3070DN广泛应用于需要高效功率管理的电子系统中。其主要应用包括但不限于以下领域：
在电源管理系统中，WSD3070DN可用于DC-DC降压/升压转换器、负载开关和稳压模块，凭借其低导通电阻和高电流能力，可显著提升电源转换效率。
在电机控制应用中，该器件可用于H桥驱动电路或电机速度调节模块，其高电流承载能力使其能够稳定驱动直流电机或步进电机。
在电池供电设备中，WSD3070DN可用于电池保护电路或充放电管理模块，确保高效能量传输并延长电池使用寿命。
此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、服务器电源、电动工具、储能系统以及各种高功率便携式电子设备。
SiR3460DP-T1-GE3, IPW60R045C6, STD120N3LLFST2AG, TPSH8R904Q
