类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：130A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：130nC
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

WSD3060DN MOSFET具有多项优异的电气和物理特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为3.8mΩ，显著降低了在高电流下的导通损耗，提高了整体效率。这使得它非常适合用于大功率DC-DC转换器和电动车辆的功率管理系统。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，优化了开关性能，减少了开关损耗。其栅极电荷（Qg）为130nC，使得在高频开关应用中仍能保持较低的驱动损耗，适用于高频电源转换器设计。
　　此外，WSD3060DN 的最大漏极电流高达130A，可在高负载条件下稳定运行，适用于电机驱动和工业自动化系统中的高功率负载切换。其D2PAK（TO-263）封装具有良好的热管理性能，能够有效散热，确保在高功率工作状态下的稳定性与可靠性。
　　该器件的最高工作温度可达175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。其封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子制造的绿色要求。
　　综上所述，WSD3060DN 凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优异的开关性能和良好的热稳定性，成为高功率应用中的理想选择。

WSD3060DN MOSFET广泛应用于多个高性能功率电子领域。在电源管理系统中，常用于同步整流、负载开关和高效率DC-DC转换器设计，尤其是在需要大电流输出的应用中表现突出。此外，它也适用于电动工具、电动车电机控制器和电池管理系统（BMS）中的高功率开关需求。
　　在工业自动化领域，WSD3060DN 可用于伺服电机驱动、PLC（可编程逻辑控制器）输出模块和工业电源模块。其高可靠性和耐高温能力，使其在长时间高负载运行的环境中表现稳定。
　　汽车电子方面，该器件适用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）等关键功率控制单元。由于其封装符合汽车电子的严苛标准，因此在车载环境中具有良好的适应性和稳定性。
　　总体而言，WSD3060DN 是一款适用于多领域、多场景的高性能功率MOSFET，能够满足现代电子设备对高效能、高可靠性的需求。

SiS17810, IRF1404, IPW60R045C6, STP120N6F7