时间：2025/8/2 5:28:55
阅读：16
WSD3028DN 是一款由 Winsemi（文晔科技）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理与功率转换应用中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各种高功率应用场合。WSD3028DN 采用 DFN5x6 封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ（典型值，@VGS=10V）
功率耗散（PD）：134W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：DFN5x6
WSD3028DN 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），在10V栅极驱动电压下仅为4.2毫欧，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力和良好的热管理性能，能够在高功率应用中保持稳定工作。其DFN5x6封装形式不仅具备优异的散热能力，还提供了较小的PCB占用空间，非常适合高密度电源设计。WSD3028DN 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，提高了电源系统的响应速度和效率。其高可靠性设计确保在严苛的工作环境下仍能保持稳定性能。
WSD3028DN 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、服务器电源、工业控制系统、LED照明驱动器等高性能电源管理领域。
SiR344DP-T1-GE3, SQJQ120EP-T1_GE3, FDS6680, NVTFS5C471NLWTAG
