类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为28mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约42nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

WSD14N10DN 具有多个显著的技术特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率。这对于电池供电设备和高能效电源系统尤为重要。其次，该器件具备较高的电流承载能力，在14A的最大漏极电流下仍能保持稳定运行，适用于需要高功率密度的设计。
　　此外，WSD14N10DN 采用了先进的硅片技术和封装工艺，使其具有良好的热稳定性和高温工作能力。这不仅提高了器件的可靠性，还能在高温环境下维持性能，避免因温度升高而导致的性能下降或故障。该MOSFET的栅极电荷（Qg）相对较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统的整体效率。
　　其±20V的栅源电压耐受能力，使其适用于多种驱动电路设计，避免了因过压导致的栅极击穿问题。同时，器件的封装形式（如TO-252）具备良好的散热性能，便于通过PCB上的铜箔进行有效散热，适合高功率密度和紧凑型电路设计。

WSD14N10DN 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效、高可靠性开关性能的场合。例如，它常用于DC-DC降压/升压转换器中作为主开关器件，能够有效提升转换效率并减小电源模块的体积。在电源适配器、电池充电器、UPS（不间断电源）系统中也常见该器件的身影。
　　此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路，如无刷直流电机控制、步进电机驱动等，提供快速响应和稳定的电流控制能力。在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）或工业变频器中，WSD14N10DN 也能胜任高频开关任务，确保系统高效运行。
　　由于其良好的高温稳定性和封装散热能力，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等，满足汽车环境中对可靠性和耐久性的严苛要求。

IRF1405, STD14N10F7, STP14N10F