时间：2025/5/15 16:42:16
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WSB5523D-2/TR 是一款高性能的双通道肖特基二极管阵列，广泛应用于高速开关电路和高频信号处理领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低正向压降、快速恢复时间和高浪涌电流能力的特点，适合于多种电源管理和信号保护场景。
型号：WSB5523D-2/TR
封装：SOT-23-6
正向电压 (Vf)：0.3V（典型值，@ If=10mA）
反向漏电流 (Ir)：100nA（最大值，@ Vr=20V）
最大反向工作电压 (Vrwm)：20V
最大正向浪涌电流 (Ifsm)：1A
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
存储温度范围：-65℃ 至 +175℃
WSB5523D-2/TR 的主要特点是其采用了肖特基势垒技术，因此具备以下优势：
1. 超低正向压降，减少功耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适用于高频应用环境。
3. 高浪涌电流能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 小型化封装设计，便于在空间受限的设计中使用。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种极端环境下的运行需求。
6. 双通道独立结构，可以灵活配置为多种拓扑电路。
WSB5523D-2/TR 广泛用于以下领域：
1. 开关电源中的整流与箝位功能。
2. 数据通信设备中的信号保护。
3. 手机和其他便携式电子设备的电池充电管理。
4. 汽车电子系统中的负载突降保护。
5. 高频电路中的快速切换应用。
6. 各类 ESD 和过压保护电路。
WSB5523D-2/TP, WSB5523DG/TR, WSB5523DG/TP
